Cheriet, AbderrahmaneAzizi, Cherifa2018-01-212018-01-212010http://hdl.handle.net/123456789/788Le travail de ce mémoire rentre dans le cadre de la modélisation et la simulation des transistors à effet de champ à barrière schottky à l’arsenuire de gallium dit MESFET GaAs. Apres avoir rappelé brièvement les propriétés physiques de la diode schottky et du matériau semi-conducteur l’arsenuire de gallium GaAs nous présentons la structure et le principe de fonctionnement des composant a effet de champ à base de GaAs (MESFET, HFET, HEMT, PHEMT et PPHEMT). Par la suite, l’étude des propriétés statiques du composant MESFET nous a conduit à définir le système d'équations énérales régissant le comportement de la zone active, ainsi que l’effet des éléments parasites et des paramètres physique spécifiques à ce composant. Enfin,nous terminons ce travail par établissement d'un logiciel de simulation basé sur les expressions analytique obtenues précédemment, Les résultats obtenus sont présentes, discutés et compares avec ceux l'expérience existante dans la littérature. Mots cIés : - Diode Schottky - Transistor à effet de champ - MESFET GaAsfrSemi-conducteurDiode SchottkyTransistor Mesfet GaAsOther