Boumazoued, AmalAberkane, Asma KhadidjaAzizi, Cherifa2018-11-262018-11-262015http://hdl.handle.net/123456789/6527Dans notre travail nous avons déposé des couches minces d'oxyde d'étain SnO2 non dopé et dopé Aluminium à (1%, 3%,5%,10%) sur des substrats en verre par le procédé sol-gel type dip coating. Les couches transparents obtenus, ont été séchés après chaque étape de dépôt et traités par recuit. Les couches obtenues ont été étudiés, en utilisant multiple méthodes de caractérisation. La détermination des propriétés morphologiques, structurales et électriques des couches, a été évaluée en fonction de ces paramètres et les répercussions sur les propriétés optiques et électriques. Les techniques, diffraction de rayon X (DRX) et microscopie à force atomique (AFM) ont montré que la taille des cristallites de notre oxyde est nanométrique, les films sont fortement orientés suivant les plans (110). La concentration des porteurs de charge ainsi que leur mobilité évolue en fonction du dopage, la résistivité diminue avec l'augmentation du dopant. Le gap optique diminue à force que la concentration du dopant augmente.frCouche mince : oxyde étainOther