Draidi, MouradZaabat, M2018-01-222018-01-222012http://hdl.handle.net/123456789/831L’analyse numérique à deux dimensions est élaborée pour étudier les caractéristiques du transistor à effet de champ, l'influence de la géométrie du composant comme la distance entre la grille et du drain, ou entre la grille et la source. Une comparaison entre deux modèles différents pour la simulation des caractéristiques statiques du MESFET submicronique GaAs a été faite. Un modèle à deux dimensions a été présenté pour étudier les caractéristiques du transistor à effet de champ, l’influence de la géométrie du composant. Toutes les simulations ont révélé l’existence d'une région à haut champ électrique près de la zone de contact de la grille, qui crée une zone dépeuplée autour de la grille, mais les études précédentes ont négligé les effets de bord, qui sont très significatifs pour ces composantsfrTransistor : champTransistor Mesfet GaAsOther