Hariza, SofianeGuergouri, Kamel2018-11-272018-11-272013http://hdl.handle.net/123456789/6551Notre travail est une contribution à l'étude de l'effet des paramètres : température, la mobilité des porteurs de charges, le courant caractéristique Id = f(VG) par une approche numérique, la relation algébrique n'étant pas disponible. Ce travail est présenté en trois chapitres : le premier a été consacré à la présentation d'une bibliographie relative à quelques aspects nécessaires à la compréhension de l'étude entreprise dans ce travail le deuxième chapitre présente les équations et simulation numérique la méthode numérique ayant servi à la simulation ( ) G Ns V en fonction de différents paramètres de fabrication de structures MODFET à base de GaAs, qui est en l'occurrence le logiciel MATLAB. Le troisième chapitre est consacré à la présentation des résultats de la simulation numérique.frTransistor Modfet HEMTTransistor : paramètre température; porteurs de chargeStructures ModfetOther