Hachemi, Kaoutar KenzaGuergouri, Kamel2018-11-282018-11-282013http://hdl.handle.net/123456789/6566Ce travail est présente en trois chapitres : le premier a été consacre à la présentation d'une bibliographie relative à quelques aspects nécessaires à la compréhension de l'étude entreprise dans ce travail. Le deuxième chapitre présente la méthode numérique ayant servi à la simulation QSC V en fonction de différents paramètres de fabrication de structures MOS à base de silicium et d'oxyde de silicium, qui est en l'occurrence le logiciel MATLAB. Le troisième chapitre est consacre à la présentation des résultats de la simulation numérique. Un nombre assez appréciable de résultats ont été trouvés, dont les plus importants sont : - la non aptitude de la structure MOS à l'¦utilisation à basse température - le seuil a été détermine et a été trouve égal a 200K. A plus haute température T >300K la structure se comporte plutôt bien. On a également trouve que la température ne change pas les caractéristiques de la désertion de manière significative et que le bon fonctionnement de la structure MOS est lie a un seuil de dopage, qui est dans notre cas (Na ou Nd) = 1021m-3 et en fin on a intérêt a avoir la plus petite couche d'oxyde qui puisse être obtenue technologiquement. L'étude de l'effet du type de matériau se réduit à un simple changement de signe pour les charges et les tensions, et un remplacement de Na par Nd.frSemi-conducteurStructure MOS : fabricationOther