Bahi, ImaneRahammia, ImaneMoualkia, Hassiba2018-11-282018-11-282018http://hdl.handle.net/123456789/6585Ce travail a concerné l'élaboration et la caractérisation des films de chalcogénures métalliques (CuxS) pour des applications photovoltaïques. Tout d'abord nous avons fait une étude bibliographique sur les couches minces, les sulfures métalliques et en particulier le sulfure de cuivre qui joue un rôle principale dans la fabrication des cellules solaires. Ensuite, nous avons préparé une série de couches minces de sulfure de cuivre (CuxS) par la technique bain chimique le paramètre que nous avons varié est le temps de dépôt. Nous avons mesuré les épaisseurs et la composition des films déposés par la technique RBS, les résultats ont montré que les épaisseurs des films appartiennent à l'échelle nanométrique [60-75 nm] et le rapport Cu/S est égale à 1, donc les films déposés sont stœchiométrique et le sulfure de cuivre déposé est le CuS. L'analyse optique a montré que les films déposés à 2h 30 min et 3h sont transparents dans la région visible, leur transparence est entre 45 et 50%. Ces deux films présentent une bonne absorbance dans la gamme UV. Le film déposé à 3h 30 min est absorbant presque dans toute la gamme spectrale ce qui le rend important comme couche absorbante dans les cellules solaires CdS/CuS. Cependant, la valeur du gap optique est entre 2.18 eV et 2.36 eV. Les résultats de la DRX montre, pour le film déposé à 3h 30 min, l'apparition d'un faible pic de diffraction situé à 2? = 46,28°, ce pic est assigné au plan (107) de la structure hexagonale du covellite CuS.frBain chimiqueCouche minceSulfure de cuivreOther