Azizi, MarwaAchour, AnfelMerzougui, Amina2022-10-232022-10-232022http://hdl.handle.net/123456789/13868L e travail de ce mémoire est concentré sur l’analyse des caractéristiques Capacité-Tension C(V) d’une capacité MOS à oxyde mince, dans le but d’étudier l’influence des états d’interface sur son comportement capacitif. Les caractéristiques C(V) sont obtenues par simulation numérique utilisant le logiciel : COMSOL Multiphysics qui était validé et testé au premier lieu par des simulations simples analysant l’effet de l’épaisseur d’oxyde et celui du dopage du substrat. Nous avons utilisé par la suite ce programme pour étudier l’influence des états d’interface, les C(V) obtenues montrent clairement que ces derniers influent sur la capacité de la structure en régime de déplétion, et que plus l’épaisseur d’oxyde est faible, plus l’effet des états d’interface est plus visible. Nous tenons à confirmer que les résultats obtenus sont en parfaite concordance avec ceux existants dans la littérature et avec d’autres simulés sous Matlab. Notre travail trouve son grand intérêt pour les études des oxydes à forte permittivité : High-K proposés à l’origine pour résoudre les problèmes de miniaturisation. Ce modeste travail nous a permis de maitriser un outil informatique performant : le logiciel COMSOL, et de maitre en base une étude considérée comme une initiation à un travail de recherche plus poussé et approfondis.otherEtats d’interfacesOther