Hafnaoui, HakimaSaidi, Y2018-01-212018-01-212010http://hdl.handle.net/123456789/785Nous ne reviendrons pas sur le but de notre travail et l'étude des caractéristiques bidimensionnelles du MESFET GaAs dans ce but on a résolu une équation aux dérivées partielles du second ordre à deux variables indépendantes c'est l'équation de poisson qui régissent le fonctionnement du transistor MESFET. Les méthodes de résolution qu'on a utilisé sont basées sur les approximations numériques des fonctions inconnues par : - Méthode de perturbation - Méthodes des différences finies. les résultats obtenus qui ont été rappelés dans dernier chapitre montre que dans les deux méthodes ce régime linéaire, c'est à dire à faible tension de polarisation de drain, nous remarquons un bon accord entre les valeurs expérimentales et celles de la simulation et lorsque la tension de drain augmente et devient plus importante nous remarquons que dans la méthode des différences finies seulement un certain écart entre les valeurs expérimentales et les résultats de la simulation qui augmente au fur et à mesure jusqu'à la saturation. Cet écart est principalement dû aux approximations faites soit dans le modèle mathématique et dans le logiciel de simulation, à l'effet des paramètres géométriques, ainsi qu'à l'existence des phénomènes quantiques parasites que nous ne n'avons pas pris en considération (négligence du courant dans la zone de charge d'espace). Finalement, la possibilité de réduire encore dans le futur les dimensions des composants électroniques nous semble dépendre au moins autant de la maîtrise de la technologie de réalisation de ces composants que de la possibilité de bien contrôler l'ensemble des phénomènes associés aux propriétés du composant MESFET GaAsfrTransistor Mesfet GaAsOther