Guemini, MeryemLatrous, Khelil2018-11-272018-11-272013http://hdl.handle.net/123456789/6548La présence d'éléments étrangers dans la matrice du dioxyde de titane semble repousser vers les hautes températures la cristallisation du matériau amorphe et ce d'autant plus que la concentration est grande. De plus, la température de transformation de l'anatase en rutile est retardée, si bien que l'anatase a été stabilisée pour une température de 900°C pour un dopage élevé en Ce3+. En outre, l'augmentation de la concentration en éléments étrangers dans la matrice de TiO2 décaler les seuils d'absorption vers l'ultra violet, augmentant ainsi le gap de ces films. Ainsi ce seuil est abaissé d'une vingtaine (20 nm). Les effets du dopage sont beaucoup plus marqués pour des dopages par des éléments des terres rares (Ce3+ et Eu3+.) que pour un dopage avec un élément de transition (Al3+).frFilm mince : dioxyde de titaneCristallisation : matériauProcédé sol-gelOther