Dib, NousseibaLaouar, SaraAzizi, Cherifa2018-11-262018-11-262018http://hdl.handle.net/123456789/6499Nous avons étudié le transistor à effet de champ à nanotube de carbone conventionnel dit C-CNTFET. Tout d'abord nous avons présenté un état de l'art sur les dispositifs électriques et photoélectriques à base de nanotube de carbone. En suite les différents transistors à effet de champ à nanotube sont présentées avec leurs structures et leur principes de fonctionnement C-CNTFET, SB-CNTFET, OG-CNTFET , DGCNTFET. Nous avons somme intéressés au développement analytique du compotent C-CNTFET. A partir de le détermination des charges des porteur dons le nanotube en fonction du diamètre et du nombre de sous -bondes, nous avons déterminé l'expression du courant de drain en fonction des tensions de polarisation de la grille et de drain. Un programme de simulation numérique du langage MATLAB a été mis au point et nous a permis d'obtenir : " Les caractéristique IDS en fonction de VGS et VDS et fonction du nombre de sous-bandes " Les caractéristique de transfert IDS(VGS ) pour de sous-bandes " Les caractéristique IDS(VGS) en fonction du diamètre du nanotube pour plusieurs sous-bandes.frTransistor à effet de champNanotube de carboneDispositifs électriquesOther