Khenchoul, SalahBoudine, A2018-01-222018-01-222010http://hdl.handle.net/123456789/811ans cette thèse nous avons fait une étude bidimensionnelle de phénomène de transport de spin polarisé dans les semi-conducteurs. Une étude théorique et numérique a été réalisée dans le cas d'un dispositif appelé transistor spin FET où il a été question de mettre en évidence ce type de transport. Ainsi donc en se basant sur des récentes études sur les contacts ferromagnétique semi-conducteur, on a pu étudie la transconductance de ce transistor qui s'agit d'un transistor de type HEMT dans lequel on remplace la source et le drain par des contacts ferromagnétique. Le contact de source joue le rôle de polariseur de spin pour les électrons injectés dans le canal de conduction du transistor et le contact de drain est analyseur de spin pour ceux parvenus en fin de canal. Le courant de drain varie ainsi avec les orientations relatives du spin des électrons en fin de canal et de l'aimantation du contact de drain. Or, il est possible de le contrôler, grâce à la tension de grille. Cette étude a été couronnée par une analyse numérique en fonction du champ extérieur et des caractéristiques internes du semi-conducteurfrSemi-conducteurSpintroniqueTransistor spin-FetTransport de SpinOther