Zemmal, Badr EddineZaabat, M2018-01-222018-01-222010http://hdl.handle.net/123456789/807L'industrie des circuits intégrés est actuellement basée sur la réduction des dimensions des dispositifs électroniques actifs tels que les transistors à effet de champ MOSFETs. On peut améliorer les paramètres physiques et géométriques du composant tel que le profil de dopage de la zone active, la mobilité des porteurs de charge, la longueur du canal afin d'obtenir des performances élevées. Au début de la présentation, on présente la famille des différents transistors à effet de champ et on montre les avantages pour l'utilisation en hyperfréquence. Les propriétés physiques des semi conducteurs telles que l'énergie de bande interdite, la densité de porteurs intrinsèques, la mobilité et la vitesse des porteurs et le champ de claquage seront abordées dans la présente étude .Cette partie sera clôturée par la présentation du transistor MOSFET et de son principe de fonctionnement L'étude des propriétés statiques du composant MOSFET, nous a conduits à définir l'ensemble des équations régissant le comportement de la zone active, et d'identifier les paramètres physiques et géométriques impliqués dans le fonctionnement du modèle proposé du transistor. Finalement, on doit vérifier la validité des différents résultats obtenus dans l'étude théorique par la simulation des paramètres dominants caractérisant ce composantfrSemi conducteurTransistorMosfet siOther