Azizi, MounirAzizi, Cherifa2020-01-042020-01-042017http://hdl.handle.net/123456789/8813Dans ce travail nous présentons une nouvelle approche non linéaire des caractéristiques statiques du MESFET GaAs qui tient compte des états de surface de la jonction Schottky La comparaison des résultats de la simulation numérique du modèle proposé avec un modèle récent, ainsi avec les résultats expérimentaux sur un composant d’étude, montre bien que les résultats trouvés concordent bien avec la réalité. Nous avons fait une synthèse des différentes lois non linéaires de la mobilité électronique des porteurs de charge utilisées dans l’étude des MESFET GaAs. Une simulation de ces paramètres est effectuée en fonction du champ électrique. De là, on a sélectionné la loi la mieux adaptée au composant d’étude. Nous avons, au cours de notre travail, établi un logiciel de simulation basé sur les expressions analytiques obtenues. Les résultats ont été présentés, discutés et comparés avec ceux de l’expérience relevé de la littérature.frSimulationPerformance électriqueModélisationSemiconducteursCaractéristque statiqueOther