Kalla, LouizaBoudine, Azzedine2018-01-232018-01-232017http://hdl.handle.net/123456789/878contacts Cette thèse à été consacré à l'étude du transport des courants polarisés en spin dans des matériaux semi-conducteur et leurs modélisations en tenant compte de différents mécanismes agissant sur le spin. Plus particulièrement, nous décrirons comment sont introduit, dans les équations les mécanismes de relaxation dus aux couplages spin-orbite et aux interactions avec renversement de spin. Nous avons étudié théoriquement le transport polarisé en spin dans le cas d'un canal 2D d'un transistor à rotation de spin appelé transistor (spin-FET). Il s'agit d'un transistor de type HEMT (High Electron Mobility Transistor) dans lequel les contacts de source et drain sont constitués par des matériaux ferromagnétiques. Ils sont séparés par un canal constitué d'une hétéro-structure semi-conductrice formant un gaz d'électrons libres bidimensionnel (2 DEG). Dans le canal le spin peut être modulé par une tension de grille qui va provoquer ou non la rotation des spins électroniques par le phénomène de précession de Rashba. Le couplage spin-orbite de Rashba est dû à la forte asymétrie du puits quantique dans lequel se confine le gaz d'électrons bidimensionnel. Nous avons établi l'expression du courant dans le canal et la conductance associée en fonction des orientations du spin des électrons à l'extrémité du canal et de l'aimantation des de drainfrTransport polarisé en spinLa spintroniqueSpin-FETCouplage spin-orbiteDatta-Das transistorOther