Hadjou kawtherRemadi IsmahanGagui Souheyla2021-11-072021-11-072021http://hdl.handle.net/123456789/11364Les propriétés structurales et optoélectroniques des composés InAs et InSb et leurs ternaires mixtes InAs1-xSbx pour 0 ?x ?1 qui cristallisent dans la structure zinc blende (B3) ont été étudiées avec la méthode des ondes planes augmentées linéarisées (FP-LAPW) basé sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). Les propriétés structurales ont été étudiées à l'aide d'approximation à gradient généralisé (WC-GGA) développées par Wu-Cohen et leurs résultats trouvés sont en accord avec ceux de l'expérimental et de la théorie. Le calcul des structures de bandes électroniques a été effectué par l'approximation mBJ, et ils sont montrés l'existence d'un gap direct pour toutes les concentrations x. Enfin, nous avons également étudié les propriétés optiques par l'approximation mBJ et nous avons trouvé que ces matériaux absorbé dans les domaines visibles et ultraviolets et nous pouvons conclure que ces matériaux souhaitent pour des applications optoélectroniques.frPropriétés structuralesPropriétés optoélectroniquesOther