Comparaison des modèles non linéaire I-V du transistor Mesfet GaAs
| dc.contributor.author | Filali, Anissa | |
| dc.contributor.author | Zaabat, M | |
| dc.date.accessioned | 2018-01-21T13:31:58Z | |
| dc.date.available | 2018-01-21T13:31:58Z | |
| dc.date.issued | 2010 | |
| dc.description.abstract | Dans ce travail nous présentons une comparaison des deux modèles non linéaires du transistor MESFET GaAs utilisés dans la littérature avec le modèle standard. D'abord, nous avons présenté la famille des différents composants actifs et qui utilisent les techniques CAO pour modéliser ces caractéristiques. C'est dans ce cadre, nous avons étudié les propriétés physiques de l'arséniure de gallium et du contact Schottky de grille. Ensuite, nous exposons un rappel de la structure du composant MESFET et son principe de fonctionnement ainsi les phénomènes physiques qui régissent ses performances. Enfin, nous présentons une étude des propriétés statiques du MESFET GaAs pour décrire le comportement de la zone active tel que le courant de drain, l'expression de la transconductance, la conductance et la capacité, ainsi que les propriétés statiques des deux modèles non linéaires que nous avons adopté. Nos résultats obtenus ont été discutés et comparés avec celle de l'expérimental | ar |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/791 | |
| dc.language.iso | fr | ar |
| dc.publisher | Université d' Oum El Bouaghi | ar |
| dc.subject | Modèles non linéaires | ar |
| dc.subject | Nano composant | ar |
| dc.subject | Transistor Mesfet GaAs | ar |
| dc.title | Comparaison des modèles non linéaire I-V du transistor Mesfet GaAs | ar |
| dc.type | Other | ar |