Simulation numérique des propriétés statistiques du transistor à base de nanotube de carbone CNTFET
| dc.contributor.author | Bendehane, Amel | |
| dc.contributor.author | Azizi, Cherifa | |
| dc.date.accessioned | 2018-11-27T11:38:58Z | |
| dc.date.available | 2018-11-27T11:38:58Z | |
| dc.date.issued | 2013 | |
| dc.description.abstract | Notre travail représente une contribution à l'étude du transistor à nanotube de carbone à modulation de hauteur de barrière (C-CNTFET). Tout d'abord un état de l'art est effectué sur les nanotubes de carbones. Ensuite les expressions analytiques du composant actif ont été obtenues en supposant le transport balistique dans le canal et le formalisme de Landauer est utilisé pour décrire le courant modulé par le potentiel appliqué sur la grille. Nous avons élaboré un logiciel de simulation basé sur le langage MATLAB en utilisant les expressions analytiques qui nous a permis d'obtenir les caractéristiques statiques du composant et l'effet du diamètre sur celles-ci. | ar |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/6554 | |
| dc.language.iso | fr | ar |
| dc.publisher | Université Oum El Bouaghi | ar |
| dc.subject | Transistor : nanotube carbone | ar |
| dc.title | Simulation numérique des propriétés statistiques du transistor à base de nanotube de carbone CNTFET | ar |
| dc.type | Other | ar |