Analyse des transistors à effet de champ

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dc.contributor.authorKaddour, Chahrazed
dc.contributor.authorAzizi, Cherifa
dc.date.accessioned2018-01-23T07:12:47Z
dc.date.available2018-01-23T07:12:47Z
dc.date.issued2015
dc.description.abstractLe transistor à effet de champ (FET) est un composant électronique actif utilisé dans les dispositifs électroniques et a une grande importance dans les sciences de l'information. A cause de l'importance de ce composant dans la technologie, nous nous sommes intéressés dans le cadre de notre étude au transistor à effet de champ en cas général et à la modélisation et la simulation des transistors à effet de champ à grille Schottky à l'arséniure de gallium dit" MESFET GaAs " en cas particulier. La première partie de ce travail présente l'état l'art des transistors à effet de champ (JFET, MESFET, MOSFET, HEMT) et les phénomènes physiques qui régissent leurs performances. Dans la deuxième partie de ce travail, nous présentons des modèles analytiques du transistor MESFET GaAs .Ces modèles sont basés sur l'analyse physique du MESFET en tenant compte la tension de pincement faible Vp 3 V et élevée Vp 3V , l'influence de la mobilité en fonction du champ électrique et en fonction de la température et l'effet des résistances parasites sur les caractéristiques I-V, l'effet de la température sur la conductance de drain et la transconductance . Enfin, nous terminons ce travail par établissement d'un logiciel de simulation basé sur les expressions analytiques obtenues précédemment. Les résultats obtenus ont été présentés, discutés et comparés avec ceux de l'expérience existante dans la littératurear
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/867
dc.language.isofrar
dc.publisherUniversité d' Oum El Bouaghiar
dc.subjectSimulationar
dc.subjectModélisationar
dc.subjectGrille Schokttyar
dc.subjectModèle analytiquear
dc.subjectTransistor : caractéristiques I-Var
dc.titleAnalyse des transistors à effet de champar
dc.typeOtherar
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