Etude du transist à effet de champ à grille schottky à l'arseniure de gallium dit MESFET GaAs en régime statique

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dc.contributor.authorBenyoucef, Sawsen
dc.contributor.authorBechoua, Khadidja
dc.contributor.authorAzizi, Cherifa
dc.date.accessioned2023-11-28T17:37:44Z
dc.date.available2023-11-28T17:37:44Z
dc.date.issued2023
dc.description.abstractLe transistor à effet de champ à barrière Schottky à l'arséniure de gallium dit MESFET GaAs est un composant essentiel dans les dispositifs électroniques pour fabriquer les circuits intégrés. Sur cette base notre étude porte sur la simulation de ce composant en régime statique. Nous présentons, tout d’abord, les différents transistors à effet de champ avec leurs structures et principes de fonctionnement JFET, MOSFET, MESFET et HEMT. Nous présentons brièvement les propriétés du matériau semi-conducteur arséniure de gallium GaAs puis un modèle mathématique des propriétés statiques du transistor MESFET GaAs à barrière Schottky. Nous avons mis au point un logiciel en langage MATLAB version 7 basé sur les expressions analytiques. Les résultats concernant les caractéristiques courant-tensions du composant et l’influence des paramètres géométriques physiques et la température ont été obtenus et discutés. Ces résultats seront utilisés dans l’étude des circuits microonde et logique à base de MESFET GaAs.
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-oeb.dz:4000/handle/123456789/17085
dc.language.isofr
dc.publisherUniversité d'Oum El Bouaghi
dc.titleEtude du transist à effet de champ à grille schottky à l'arseniure de gallium dit MESFET GaAs en régime statique
dc.typeOther
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ETUDE DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GRILLE SCHOTTKY A L’ARSENIURE DE GALLIUM dit MESFET GaAs EN REGIME STATIQUE.pdf
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