Modélisation et caractérisation des circuits passifs intégrés

dc.contributor.authorZiar, Toufik
dc.contributor.authorZaabat, Mourad
dc.date.accessioned2018-01-21T08:44:10Z
dc.date.available2018-01-21T08:44:10Z
dc.date.issued2013
dc.description.abstractDans cette thèse nous avons essayer de présenter l'importance qu'a jouée les simulateurs micro ondes commerciaux dans la fabrication des circuits intégrés, spécialement dans les premières étapes de conceptions par la recherché des modèles précis, pour les éléments passifs ou actifs des circuits, utilisés pour prédire les caractéristiques optimales attendues du composant une fois implémenté dans le circuit. Ces simulateurs sont conçus à base de logiciels utilisant les méthodes d'analyse électromagnétiques globales, il existe deux types de méthodes : a. Les méthodes temporelles : - (Finite Di erence Time Domain Technique (FDTD) - finite element Time Domain (FETD). Transmission Line Method (TLM)) b. Les méthodes fréquentielles :-Finité Elément (FE) - Méthod of Moment (MoM) - wave concept iterative procedure (WCIP) Utilisant la méthode itérative basée sur le concept de l'onde transversale et des sources auxiliaires localisées, un logiciel a été développé sous MATLAB basé sur la méthode WCIP pour simuler plusieurs circuits passifs planaires à base de micro rubans. Ces circuits passifs ont été analysés par la recherché des e ets des paramètres des structures (largeur du micro ruban, permittivité du substrat, hauteur du substrat, espace interligne etc..) Sur les caract éristiques du circuit global. Cette dernière tache a été exécutée en xant les paramètres des structures et laissant à chaque fois un paramètre d'ajustement pour voir l'in uence de sa variation sur les caractéristiques du circuit. Nous avons tracé des gures pressentant les e ets des variation des paramètres des di érentes structures sur les caractéristiques globales du circuits comme l'impédance vue par la source, les paramètres de ré exion et de transmission ainsi que les distribution des densités des courant à l'interface du circuitar
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/767
dc.language.isofrar
dc.publisherUniversité d' Oum El Bouaghiar
dc.subjectCircuit intégréar
dc.subjectMéthode WCIPar
dc.subjectSimulation EMar
dc.subjectSimulateur : micro ondear
dc.subjectOnde transversalear
dc.titleModélisation et caractérisation des circuits passifs intégrésar
dc.typeOtherar
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