Analyse statique du transistor à effet de champ MESEFT Ga As

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dc.contributor.authorBoudjadi, Amina
dc.contributor.authorAzizi, Cherifa
dc.date.accessioned2022-10-20T07:26:58Z
dc.date.available2022-10-20T07:26:58Z
dc.date.issued2022
dc.description.abstractNous présentons une analyse des propriétés statiques du transistor à effet de champ à barrière Schottky à l’arséniure de gallium dit MESFET GaAs qui est un composant essentiel pour les circuits intégrés logiques et analogiques. Après avoir donné la structure et le principe de fonctionnement, nous avons déterminé les expressions analytiques des caractéristiques de sortie du composant. La mise au point d’un logiciel en langage Matlab7.10 nous a permis d’obtenir les performances statiques du courant de drain en fonction des tensions de polarisations de drain et de la grille. L’influence des paramètres physiques, géométriques et de la température sur les caractéristiques de courant ont été également déterminés. Cette étude nous a permis de connaître les paramètres physiques et géométriques optimaux pour améliorer les performances des composants qui sont dépendants de la qualité des matériaux utilisés, de la géométrie de la structure et de la technologie de réalisation. ABSTRACT We present an analysis of the static properties of the gallium arsenide Schottky barrier field effect transistor called MESFET GaAs which is an essential component for logic and analog integrated circuits. After giving the structure and principle of operation, we determined the analytical expressions of the output characteristics of the component. The development of software in Matlab7.10 language allowed us to obtain the static performance of the drain current as a function of the drain and gate bias voltages. The influence of physical, geometrical and temperature parameters on the current characteristics were also determined. This study allowed us to know the optimal physical and geometric parameters to improve the performance of the components which are dependent on the quality of the materials used, the geometry of the structure and the technology of realization.ar
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/13852
dc.language.isootherar
dc.publisherUniversité Oum El Bouaghiar
dc.subjectMESFET GaAsar
dc.subjectcaractéristiques statiquear
dc.titleAnalyse statique du transistor à effet de champ MESEFT Ga Asar
dc.typeOtherar
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