Etude des propriétés structurales, électroniques et optiques des alliages semi-conducteurs BaxPb1-x S pour les dispositifs optoélectroniques

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dc.contributor.authorBenkhedir, Badra
dc.contributor.authorBerkani, Khaoula
dc.contributor.authorGagui, Souheyla
dc.date.accessioned2023-11-28T17:45:10Z
dc.date.available2023-11-28T17:45:10Z
dc.date.issued2023
dc.description.abstractLes propriétés structurelles, électroniques et optiques de BaS,PbS et leurs alliages pour x= (0,25, 0,5, 0,75) dans la structure Rock-Salt "NaCl" ont été calculées à l’aide de la méthode FP-LAPW à plein potentiel dans le cadre de la théorie fonctionnelle de la densité (DFT). En utilisant l’approximation de gradient généralisé (WC-GGA) de Wu-Cohen, pour calculerle paramètre de réseau, le module de compressibilité. Nous avons trouvé que le paramètre de réseaux a augmente avec l'augmentation de la concentration du Baryum et l’inverse pour le module de compressibilité. La structures de bande électronique et l’énergie du gapsont calculées à l’aide d’un schéma de paramétrage modifié de Tran-Blaha Becke-Johnson (TB-mBJ). Nous avons obtenu que le gap est direct pour les composées PbS et Pb1-xBaxS respectivement quand (x=0,25, 0,5, 0,75) Sauf que le composé binaire BaS possède un gap indirect. Les propriétés optiques des composés binaires et de leurs alliages ternaires ont été calculéesainsi que la partie imaginaire ε2 et la partie réelε1, l'indice de réfraction n, le coefficient d'absorption α, la réflectivité R, laconductivité optique σet l'énergie perdu L; utilisant l’approximationde Tran-Blaha Becke-Johnson (TB-mBJ) ;Notre matériaux étudiés absorbentla lumière dans le domaine visible-Ultraviolet. Donc ces matériaux sont favorables dans lafabricationdes cellules solaires et des dispositifs optoélectroniques. Les résultats calculés sont comparés aux données expérimentales et théoriques disponibles.
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-oeb.dz:4000/handle/123456789/17087
dc.language.isofr
dc.publisherUniversité d'Oum El Bouaghi
dc.titleEtude des propriétés structurales, électroniques et optiques des alliages semi-conducteurs BaxPb1-x S pour les dispositifs optoélectroniques
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