Modélisation des nanotransistors à effet de champ CNTFET
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Date
2014
Authors
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Publisher
Université de Larbi Ben M’hidi-Oum Oum El Bouaghi
Abstract
La réduction progressive des dimensions des transistors selon la loi de Moore constitue le principal stimulant à l'intégration de circuits de plus en plus complexes; en effet, les dimensions étant réduites, la vitesse de fonctionnement d'un circuit augmente ainsi que la densité d'intégration.
Durant cette dernière décennie, Le marché des télécommunications, du multimédia, de l'automobile, de l'avionique et d'autres applications sécurisées continue à croître à un rythme soutenu avec l'apparition d'applications diverses et complexes qui réclament une puissance de calcul de plus en plus importante tout en ayant un niveau de fiabilité et de sécurité de plus en plus élevé. L'augmentation de la densité d'intégration et l'amélioration des performances sont rendues possibles par la diminution de la taille des transistors à effet de champ qui constituent un élément de choix pour la génération des fonctions de base.
C'est dans ce cadre que se situent les travaux de doctorat par une description physique et fonctionnelle des nano transistors à effet de champ. Ensuite les différents phénomènes physiques qui régissent son fonctionnement seront détaillés ainsi que les effets dispersifs qui limitent ses performances.
In this paper, one of the most promising electron devices - carbon nanotube field effect transistor (CNT FET) is investigated. At the beginning, the carbon nanotube properties are presented. The main contribution of this paper is the new analytical model of CNT FET current - voltage characteristics. Developed model describes behavior of CNTFET in very good manner and, at the same time, the model is relatively simple. Using the developed model, simulations were performed. The results obtained by using two models are in very good agreement with already known and published ones.
Description
Keywords
Transistor : loi de Moore, Nano transistor : champ CNTFET