Etude des propriétés physiques des couches minces de SnO2 dopées In, préparées par la méthode sol-gel associée au dip-coating et leurs applications optoéléctroniques
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Date
2024
Authors
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Publisher
Université d'Oum El Bouaghi
Abstract
Dans ce travail, les couches minces de SnO2 non dopées et dopées In ont été préparés avec succès par la méthode sol-gel associée au dip-coating. L'objectif principal de ce travail est d'étudier l'effet de la concentration d'In sur les propriétés structurales, morphologiques, optiques et électriques du SnO2 en utilisant différentes techniques telles que la diffraction des rayons X, le microscope optique, le spectrophotomètre UV-vis et les mesures par effet Hall, respectivement. La DRX a montré que tous les couches minces d'oxyde d'étain ont une structure tétragonale de type rutile. Le décalage des pics de diffraction avec la variation des paramètres de maille indiquent que l'indium est correctement incorporé dans le réseau cristallin du SnO2. Les images obtenues par microscopie optique montrent que la surface des films a été affectée par l'In. De plus, l'énergie de gap a diminué avec l'augmentation de la concentration d'In de 3,93 à 3,4 eV. Les résultats de l'effet Hall ont montré que tous les échantillons avaient une conductivité de type n. Enfin, le photodétecteur à base de SnO2 dopé 6% In montre la meilleure photosensibilité au UV.
Description
Keywords
Couches minces; Photodétecteur; Sol-gel