Analyse des transistors à effet de champ Mesfet GaAs
| dc.contributor.author | Marki, Rebiha | |
| dc.contributor.author | Azizi, Cherifa | |
| dc.date.accessioned | 2018-01-22T07:46:23Z | |
| dc.date.available | 2018-01-22T07:46:23Z | |
| dc.date.issued | 2010 | |
| dc.description.abstract | L'amélioration des composants électroniques nécessite beaucoup d'efforts au niveau de la conception, de la fabrication que de la caractérisation. Dans ce cadre, la modélisation prouve son utilité en permettant de prévoir les caractéristiques des composants avant la réalisation et par la suite réduire le coût de fabrication. Dans le premier chapitre, nous avons détaillé la structure du MESFET GaAs ainsi que son principe de fonctionnement. Dans le second chapitre, On a étudié un modèle analytiquement dans le but déterminer les caractéristiques statiques du composant en tenant compte des paramètres physiques et géométriques, ainsi que l'effet de la mobilité et des éléments parasites. Dans le dernier chapitre, on a vérifié la validité des différents résultats obtenus. Les paramètres importants qui définissent le MESFET GaAs sont établis et simulés | ar |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/808 | |
| dc.language.iso | fr | ar |
| dc.publisher | Université d' Oum El Bouaghi | ar |
| dc.subject | Transistor Mesfet GaAs | ar |
| dc.title | Analyse des transistors à effet de champ Mesfet GaAs | ar |
| dc.type | Other | ar |