Transistor modfet HEMT influence de la température et la mobilité

dc.contributor.author	Hariza, Sofiane
dc.contributor.author	Guergouri, Kamel
dc.date.accessioned	2018-11-27T11:24:48Z
dc.date.available	2018-11-27T11:24:48Z
dc.date.issued	2013
dc.description.abstract	Notre travail est une contribution à l'étude de l'effet des paramètres : température, la mobilité des porteurs de charges, le courant caractéristique Id = f(VG) par une approche numérique, la relation algébrique n'étant pas disponible. Ce travail est présenté en trois chapitres : le premier a été consacré à la présentation d'une bibliographie relative à quelques aspects nécessaires à la compréhension de l'étude entreprise dans ce travail le deuxième chapitre présente les équations et simulation numérique la méthode numérique ayant servi à la simulation ( ) G Ns V en fonction de différents paramètres de fabrication de structures MODFET à base de GaAs, qui est en l'occurrence le logiciel MATLAB. Le troisième chapitre est consacré à la présentation des résultats de la simulation numérique.	ar
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/6551
dc.language.iso	fr	ar
dc.publisher	Université Oum El Bouaghi	ar
dc.subject	Transistor Modfet HEMT	ar
dc.subject	Transistor : paramètre température; porteurs de charge	ar
dc.subject	Structures Modfet	ar
dc.title	Transistor modfet HEMT influence de la température et la mobilité	ar
dc.type	Other	ar

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