Transistor modfet HEMT influence de la température et la mobilité
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Date
2013
Authors
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Publisher
Université Oum El Bouaghi
Abstract
Notre travail est une contribution à l'étude de l'effet des paramètres : température, la mobilité des porteurs de charges, le courant caractéristique Id = f(VG) par une approche numérique, la relation algébrique n'étant pas disponible.
Ce travail est présenté en trois chapitres : le premier a été consacré à la présentation d'une bibliographie relative à quelques aspects nécessaires à la compréhension de l'étude entreprise dans ce travail le deuxième chapitre présente les équations et simulation numérique la méthode numérique ayant servi à la simulation ( ) G Ns V en fonction de différents paramètres de fabrication de structures MODFET à base de GaAs, qui est en l'occurrence le logiciel MATLAB.
Le troisième chapitre est consacré à la présentation des résultats de la simulation numérique.
Description
Keywords
Transistor Modfet HEMT, Transistor : paramètre température; porteurs de charge, Structures Modfet