Elaboration et caractérisations de couches minces d'oxydes métalliques destinées à des applications optoélectroniques

dc.contributor.authorLabidi, Herissi
dc.contributor.authorHedjeris, L.
dc.date.accessioned2018-01-23T07:17:27Z
dc.date.available2018-01-23T07:17:27Z
dc.date.issued2016
dc.description.abstractLe but de ce travail est la préparation par la technique de spray pyrolyse de couches minces d'oxydes métalliques de (NiO)1 x(ZnO)x puis l'étude de l'influence des valeurs de x sur leurs propriétés structurales, morphologiques, optiques, et électriques afin de déterminer leur applicabilité dans des dispositifs optoélectroniques. A cet effet, les films ont été déposés sur des substrats en verre et en silicium avec x = 0, 0.25, 0.50, 0.75 et 1. Le chlorure de nickel hexa hydraté et l'acétate de zinc di hydraté ont été utilisés comme précurseurs dissouts dans l'eau bi distillée. La concentration molaire de la solution, la distance bec-substrat, la température du substrat, le débit de pulvérisation et le temps de dépôt ont été maintenus constants durant tout le processus de dépôt à 0.05 M, 30 cm, 400 °C, 9 ml / min, et 5 min, respectivement. Les résultats obtenus montrent que ces films sont bien adhérents, leur rugosité de surface et leurs propriétés peuvent être contrôlées par le rapport x. Les films (NiO)1 x(ZnO)x sont composés de deux phases NiO et ZnO mélangées dans des proportions définies et la constante de réseau de NiO augmente avec fraction nominale x de Zn. La différence entre les structures de NiO et de ZnO augmente la porosité dans le film et peut être utile dans des applications telles que les capteurs de gaz. La transparence des couches obtenues augmente avec le rapport x et se situe entre 60 et 80 % dans le visible. Les valeurs du gap optique sont situées entre 3.3 eV (pour ZnO pur) et 3.65 eV (pour NiO pur). Pour des compositions intermédiaires, nous avons trouvé deux valeurs de gap optique compatibles avec l'existence des deux phases ZnO et NiO. La conductivité électrique augmente avec le rapport x et varie entre 10 9 et 10 5 (?.cm) 1 à la température ambiante. Son augmentation avec la température de chauffage indique que tous les échantillons déposés sont semi-conducteurs. Les résultats montrent aussi qu'on peut contrôler le type de conductivité (p ou n) en faisant simplement varier le paramètre x. ce qui est précisément notre objectifar
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/868
dc.language.isofrar
dc.publisherUniversité d' Oum El Bouaghiar
dc.subjectConductivité électriquear
dc.subjectTechnique spray pyrolyse : couche métalliquear
dc.titleElaboration et caractérisations de couches minces d'oxydes métalliques destinées à des applications optoélectroniquesar
dc.typeOtherar
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