Contribution à l'étude des propriétés statiques du mesfet GaAs
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Date
2008
Authors
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Publisher
Université d' Oum El Bouaghi
Abstract
Pour la conception et la simulation des circuits micro-ondes et intégrés, il est nécessaire d'établir des modèles théoriques simples qui tiennent compte de tous les effets qui ont lieu au niveau de l'élément constitutif de ces circuits qui est le MESFET GaAs.
Dans ce mémoire, nous présentons un modèle de calcul des caractéristiques courant -
tension (I-V), d'un transistor à effet de champ à barrière Schottky à l'arséniure de Gallium
Dans ce mémoire nous présentons un modèle de calcul des caractéristiques courantes tensions I-V d'un transistor à effet de champ à barrière Schottky à l'Arséniure de Gallium dit MESFET GaAs, qui joue un rôle primordial dans la conception et la simulation des circuits micro-ondes et intégrés.
Ce travail traite les simulations du MESFET GaAs qui aura lieu dans la première partie, Une étude analytique des caractéristiques statiques du composant en se basant sur l'approximation de la zone de déplétion graduelle dépourvue de porteurs libre avec un canal de dopage uniforme en prenant compte l'influence des paramètres physiques et géométriques, ainsi l'effet de mobilité et des éléments parasites. L'influence de la température sur le comportement du MESFET GaAs.
Les résultats obtenus permettent de déterminer les propriétés du courant sous l'effet des paramètres géométriques et physiques optimaux du composant en vue d'une application d'amplification en puissance micro-ondes. Un compromis est déterminé entre les différents paramètres ainsi que le choix d'une loi de mobilité valable pour GaAs. Ces résultats permettent la mise au point de géométries du composant adaptées à des utilisations spécifiques et seront d'un grand apport pour la conception assistée par ordinateur des circuits micro-ondes
Description
Keywords
Transistor Mesfet GaAs