Caractérisation des couches minces d'oxymitrures de silicium par ellipsométrie spectroscopique

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dc.contributor.authorBenzitouni, Sara
dc.contributor.authorMahdjoub, Abdelhakim
dc.date.accessioned2018-11-28T08:46:25Z
dc.date.available2018-11-28T08:46:25Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractCe travail s'inscrit dans le cadre de l'étude de couches minces d'oxynitrures de silicium élaboré par la technique de dépôt chimique en phase vapeur à basse pression LPCVD. Les films déposés sont caractérisés optiquement par ellipsométrie spectroscopique, l'accès à leurs informations n'est pas direct mais passe par une analyse mathématique traduite en programme permettant de modéliser les systèmes optiques des films. La modélisation sera basée sur la théorie matricielle des milieux stratifiés en utilisant l'approximation des milieux effectifs de Bruggeman, et en considérant le matériau comme un mélange hétérogène binaire de silice, et de nitrure de silicium. L'ajustement entre les spectres expérimentaux et théoriques va nous permettre de déduire l'épaisseur et les indices optiques des films SiOxNy déposés. Les différents résultats obtenus par l'analyse numérique seront interprétés. La caractérisation par ellipsométrie montre que l'indice de réfraction de SiOxNy augmente lorsque la fraction volumique de SiO2 diminue. L'étude montre aussi que l'erreur diminue si nos films sont modélisés en plusieurs couches, ce qui traduit qu'ils sont inhomogènes en profondeur.ar
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/6567
dc.language.isofrar
dc.publisherUniversité Oum El Bouaghiar
dc.subjectCouche mince : oxymitrure de siliciumar
dc.subjectMilieu stratifié : milieu effectif Bruggemanar
dc.titleCaractérisation des couches minces d'oxymitrures de silicium par ellipsométrie spectroscopiquear
dc.typeOtherar
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