Effet de la mobilité des porteurs sur les propriétés statistiques du transistor mesfet gaas
| dc.contributor.author | Boukandoura, Fouzia | |
| dc.contributor.author | Azizi, Cherifa | |
| dc.date.accessioned | 2018-11-28T09:15:48Z | |
| dc.date.available | 2018-11-28T09:15:48Z | |
| dc.date.issued | 2011 | |
| dc.description.abstract | Dans les sciences de l'information, les composants à effet de champ jouent un rôle primordial. Aussi nous nous sommes intéresses, dans le cadre de notre étude au transistor à effet de champ à grille Schottky à l'arséniure de gallium dit MESFET GaAs. C'est dans ce cadre que nous avons présenté la famille des différents transistors à effet de champ. Aussi nous avons présenté les propriétés physiques et électriques du GaAs et du contact Schottky, pour finir avec la présentation du transistor MESFET et de son principe de fonctionnement. Par la suite, l'étude des propriétés statiques du composant MESFET. a été effectué en tenant compte des différentes lois de mobilité des porteurs de charges, dans la zone active, en fonction du champ électrique, à la température ambiante. | ar |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/6575 | |
| dc.language.iso | fr | ar |
| dc.publisher | Université Oum El Bouaghi | ar |
| dc.subject | Transistor Mesfet GaAs | ar |
| dc.title | Effet de la mobilité des porteurs sur les propriétés statistiques du transistor mesfet gaas | ar |
| dc.type | Other | ar |