L'approche quantique du transistor mosfet
| dc.contributor.author | Siouane, Wafa | |
| dc.contributor.author | Zaabat, Mourad | |
| dc.date.accessioned | 2018-11-28T09:24:25Z | |
| dc.date.available | 2018-11-28T09:24:25Z | |
| dc.date.issued | 2011 | |
| dc.description.abstract | L’industrie des circuit intégrés est actuellement basée sur la réduction des démentions des dispositifs électroniques actifs tels que les transistors à effet de champ MOSFETs . On peut améliorer les paramètres physiques et géométriques du composant tel que le profil de dopage de la zone active, la mobilité des porteurs de charge, la longueur de canal afin d’obtenir des performances élevées. Au début de la présentation, on présente la famille des différents transistors à effet de champ, Ainsi les propriétés physiques des semi conducteurs telles que l’énergie de bande interdite, le champ critique, la densité de porteurs intrinsèques, la mobilité et la vitesse des porteurs seront abordées dans la présente étude .Cette partie sera clôturée par la présentation Du transistor MOSFET et de son principe de fonctionnement. L’étude des propriétés statiques du composant MOSFET, nous conduit à définir l’ensemble des équations régissant le comportement de la zone active.et d’identifier les paramètres physiques et géométriques impliqués dans le fonctionnement du modèle proposé du transistor. Finalement, on doit vérifier la validité des différents résultats obtenus dans l’étude théorique par la simulation des paramètres dominants caractérisant ce composant. | ar |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/6578 | |
| dc.language.iso | fr | ar |
| dc.publisher | Université Oum El Bouaghi | ar |
| dc.subject | Semi-conducteur | ar |
| dc.subject | Transistor : champ | ar |
| dc.subject | Transistor Mosfet | ar |
| dc.title | L'approche quantique du transistor mosfet | ar |
| dc.type | Other | ar |