Modélisation bidimensionnelle du transistor MESFET par une méthode itérative
| dc.contributor.author | Ziar, Toufik | |
| dc.contributor.author | Mohammed Brahim, T. | |
| dc.date.accessioned | 2023-06-04T11:11:34Z | |
| dc.date.available | 2023-06-04T11:11:34Z | |
| dc.date.issued | 2008 | |
| dc.description.abstract | Dans ce mémoire, nous avons essayer de démontrer l'importance des simulateurs micro-ondes dans la l'industrie des circuits planaires actifs ( dans notre étude le circuit planaire actif est à base d'un transistor MESFET ), spécialement dans les étapes de conception, de modélisation et de recherche des caractéristiques optimales attendues du circuit une fois dans son environnement final. Ces simulateurs sont conçus à base de logiciels développés à partir des méthodes de caractérisation électromagnétiques globales, citons par exemple : a- les méthodes temporelles : FDTD (finité différence time Domain technique), FEDT (finité élément time Domain) et la TLM (transmission line méthode). a- les méthodes fréquentielles : la FE (finité élément) et la MOM (méthode of moment). Le premier chapitre présente l'état de l'art des transistors à effet de champ MESFET et des lignes micro ruban. Le deuxième chapitre introduit le concept de modélisation du transistor à effet de champ métal semi conducator MESFET par la présentation du modèle' Scholey et deux modèles empiriques ainsi que le modèle du circuit électrique équivalent. Le troisième chapitre présente une étude théorique détaillée de la méthode itérative avec sources auxiliaires localisées. Dans le quatrième chapitre, nous avons développer un logiciel en MATLAB pour simuler la structure du circuit planaire actif à base du transistor MESFET et par un changement de paramètres de la structure (dimensions, qualité du substrat, nombre de pixels par structure, largeur des micro ruban) ainsi que des paramètres de simulation( bande passante, nombre d'itérations) , nous avons tracé des courbes représentant l'influence de ces paramètres sur les caractéristiques du circuit étudié comme l'impédance d'entrée ,les coefficient de transmission et de réflexion, les distributions des densités des courant électrique et de champ électrique à l'interface du circuit. | ar |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/14746 | |
| dc.language.iso | fr | ar |
| dc.publisher | Université de Larbi Ben M’hidi-Oum Oum El Bouaghi | ar |
| dc.subject | Méthode itérative | ar |
| dc.subject | Transistor Mesfet | ar |
| dc.title | Modélisation bidimensionnelle du transistor MESFET par une méthode itérative | ar |
| dc.type | Other | ar |