Caractérisation des oxydes d'InP par XPS ellipsométrie spectroscopique
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Date
2003
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Publisher
université Oum El Bouaghi
Abstract
L’étude des propriétés physico-chimiques de la surface du phosphure d’indium (InP) l’un des semi-conducteurs composés III-V les plus intéressants, est indispensable pour la fabrication des composants électroniques.
Pour cette étude nous avons utilisé deux techniques spectrales très utilisées dans la caractérisation physico-chimique de l’état de surface :
La spectroscopie XPS (X ray Photoelectron Spectroscopy) appelée aussi ESCA ( Electron Spectroscopy for Chemical Analysis ) et l’ellipsométrie spectroscopique.
L’utilisation de l’ellipsométrie nécessite la mise au point de modèles théoriques et de programmes de calcul pour l’exploitation des spectres mesurés.
La corrélation entre les deux techniques nous permet une détermination quantitative et qualitative de la nature très complexe de l’oxyde formé par voie électrochimique sur la surface du phosphure d’indium (InP).
Cette étude permettra une bonne compréhension du comportement des composants électroniques à base de phosphure d’indium.
Description
Keywords
Ellipsométrie spectroscopique, Oxyde anodique, Composant électronique