Etude des propriétés de hétérostructures semi conductrices synthétisées par voie électrochimique

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dc.contributor.authorBengas, Rayhena
dc.contributor.authorBouhenguel, Mustapha
dc.date.accessioned2023-06-18T05:43:22Z
dc.date.available2023-06-18T05:43:22Z
dc.date.issued2019
dc.description.abstractDans cette recherche, nous nous sommes intéressés à l'élaboration des nanostructures de ZnS, ZnO et Cu2O par voie électrochimique, en raison de leurs propriétés optiques et électriques intéressantes. Dans la première partie, on a déposé le film de ZnS à différents potentiel d'électrodéposition sur un substrat d'ITO. Puis nous avons étudié l'effet du potentiel de ZnS/ITO sur les propriétés de ZnO et on a trouvé que - 0.9 V est le potentiel optimal. Dans la deuxième partie, on a élaboré le film de ZnO par électrodéposition en deux modes, direct et pulsé. Les résultats obtenus montrent que les dépôts de ZnO obtenus par mode pulsé ont les meilleures propriétés. Finalement, dans la troisième partie nous avons élaboré une série d'échantillons de Cu2O/ZnO/ZnS avec différents températures de déposition de ZnS. Les résultats de la caractérisation électrochimique, structurale, optique et électrique des couches montrent que l'hétérojonction p-Cu2O / n-ZnO / n-ZnS a été préparée avec succès par électrodéposition sur un substrat d'ITO. Les propriétés de Cu2O étaient principalement affectées par la température de dépôt de ZnS. Une forte cristallinité a été confirmée pour l'hétérojonction p-Cu2O / n-ZnO / n-ZnS avec ZnS déposé à 60 ° C par analyse DRX et images AFM Ýí ÈÍË ÇáÏßÊæÑÇå åÐÇ¡ äÑßÒ Úáì ÊæÖÚ ÇáÈäì ÇáäÇäæãÊÑíÉ ZnS æ ZnOæ Cu2O Úä ØÑíÞ ÇáÊæÖÚ ÇáßåÑæßíãíÇÆí ÈÓÈÈ ÎÕÇÆÕåÇ ÇáÈÕÑíÉ æÇáßåÑÈÇÆíÉ ÇáãËíÑÉ ááÇåÊãÇã .Ýí ÇáÞÓã ÇáÃæá ¡Êã ÊÑÓíÈ ØÈÞÉ ZnS Úáì ÑßíÒÉ ãä ITO ÈÊØÈíÞ ßãæäÇÊ ãÎÊáÝÉ .Ëã ÞãäÇ ÈÏÑÇÓÉ ÊÃËíÑ ßãæä ÊÑÓíÈ ØÈÞÉZnS Úáì ÎÕÇÆÕ ZnO æ æÌÏäÇ Ãä V 0.9 -åæ Çáßãæä ÇáÇãËá áÊÑÓíÈ ØÈÞÉ ZnS .Ýí ÇáÌÒÁÇáËÇäí ¡ Êã ÊÑÓíÈ ØÈÞÉ ZnO ßåÑæßíãíÇÆí Çãä ÎáÇá äÓÞíä ¡äÓÞ ãÈÇÔÑ æäÓÞ äÈÖí. æÖÍÊ ÇáäÊÇÆÌ Ãä ÊÑÓÈÇÊ ZnO ÇáÊí Êã ÇáÍÕæá ÚáíåÇÚä ØÑíÞ äÓÞ äÈÖí áåÇÎÕÇÆÕ ÃÝÖá.Ýí ÇáÝÕá ÇáËÇáË ÞãäÇ ÈÊÑÓíÈ ÓáÓáÉ ãä ÚíäÇÊ Cu2O / ZnO / ZnS ãÚ ÏÑÌÇÊ ÍÑÇÑÉ ÊÑÓíÈ ZnS ãÎÊáÝÉ .ÊÙå ÑäÊÇÆÌ ÇáÏÑÇÓÉ ÇáßåÑæßíãíÇÆíÉ æÇáåíßáíÉ æÇáÈÕÑíÉ æÇáßåÑÈÇÆíÉ Ãä ãÊãÇËá ÇáÞØÈíä ÛíÑ ãÊÌÇäÓÉ p-Cu2O /n-ZnO/n-ZnS Êã ÊÔßíáå ÈäÌÇÍ Úáì ÑßíÒÉ Çá ITO ÈæÇÓØÉ ÇáÊÑÓíÈ ÇáßåÑæßíãíÇÆí. ÊÃËÑÊ ÎÕÇÆÕ Cu2O ÈÔßá ÑÆíÓí ãä ÏÑÌÉ ÍÑÇÑÉ ÊÑÓíÈ ZnS æÞÏÊã ÊÃßíÏ ÊÈáæÑ ÚÇáò áãÊãÇËá ÇáÞØÈíä ÛíÑ ãÊÌÇäÓÉ Cu2O / ZnO / ZnS ÇáãÊÑÓÈÉÚäÏ 60 ÏÑÌÉ ãÆæíÉ ÈæÇÓØÉ ÊÍáíá XRD æÕæÑ AFM In this research, we are interested in the elaboration of ZnS, ZnO and Cu2O nanostructures by electrochemical deposition; Because of their interesting optical and electrical properties. In the first section, the ZnS film was deposited at a different potential on an ITO substrate. Then we investigated the effect of the ZnS deposition potential on ZnO properties and we found that - 0.9 V is the optimal potential. In the second part, the ZnO film was electrodeposited under two modes, direct and pulse. The obtained results show that ZnO deposited by pulse mode have better properties. Finally, in the third section we deposited a series of Cu2O / ZnO / ZnS samples with different ZnS deposition temperatures. The results of the electrochemical, structural, optical and electrical characterization show that the p-Cu2O / n-ZnO/ n-ZnS heterojunction was successfully formed on ITO substrate. The properties of Cu2O were mainly affected by the ZnS deposition temperature. High crystallinity was confirmed for the p-Cu2O / n-ZnO / n-ZnS heterojunction with ZnS deposited at 60 °C by XRD analysis and AFM images.ar
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/14771
dc.language.isofrar
dc.publisherUniversité de Larbi Ben M’hidi-Oum Oum El Bouaghiar
dc.subjectElectrodépositionar
dc.subjectélectrochimiquear
dc.subjecthétérostructurear
dc.titleEtude des propriétés de hétérostructures semi conductrices synthétisées par voie électrochimiquear
dc.typeThesisar
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