Le transistor a effet de champ à base de nanotube de carbone
| dc.contributor.author | Dib, Nousseiba | |
| dc.contributor.author | Laouar, Sara | |
| dc.contributor.author | Azizi, Cherifa | |
| dc.date.accessioned | 2018-11-26T05:29:47Z | |
| dc.date.available | 2018-11-26T05:29:47Z | |
| dc.date.issued | 2018 | |
| dc.description.abstract | Nous avons étudié le transistor à effet de champ à nanotube de carbone conventionnel dit C-CNTFET. Tout d'abord nous avons présenté un état de l'art sur les dispositifs électriques et photoélectriques à base de nanotube de carbone. En suite les différents transistors à effet de champ à nanotube sont présentées avec leurs structures et leur principes de fonctionnement C-CNTFET, SB-CNTFET, OG-CNTFET , DGCNTFET. Nous avons somme intéressés au développement analytique du compotent C-CNTFET. A partir de le détermination des charges des porteur dons le nanotube en fonction du diamètre et du nombre de sous -bondes, nous avons déterminé l'expression du courant de drain en fonction des tensions de polarisation de la grille et de drain. Un programme de simulation numérique du langage MATLAB a été mis au point et nous a permis d'obtenir : " Les caractéristique IDS en fonction de VGS et VDS et fonction du nombre de sous-bandes " Les caractéristique de transfert IDS(VGS ) pour de sous-bandes " Les caractéristique IDS(VGS) en fonction du diamètre du nanotube pour plusieurs sous-bandes. | ar |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/6499 | |
| dc.language.iso | fr | ar |
| dc.publisher | Université Oum El Bouaghi | ar |
| dc.subject | Transistor à effet de champ | ar |
| dc.subject | Nanotube de carbone | ar |
| dc.subject | Dispositifs électriques | ar |
| dc.title | Le transistor a effet de champ à base de nanotube de carbone | ar |
| dc.type | Other | ar |