Le transistor a effet de champ à base de nanotube de carbone
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Date
2018
Authors
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Publisher
Université Oum El Bouaghi
Abstract
Nous avons étudié le transistor à effet de champ à nanotube de carbone conventionnel dit C-CNTFET. Tout d'abord nous avons présenté un état de l'art sur les dispositifs électriques et photoélectriques à base de nanotube de carbone.
En suite les différents transistors à effet de champ à nanotube sont présentées avec leurs structures et leur principes de fonctionnement C-CNTFET, SB-CNTFET, OG-CNTFET , DGCNTFET. Nous avons somme intéressés au développement analytique du compotent C-CNTFET. A partir de le détermination des charges des porteur dons le nanotube en fonction du diamètre et du nombre de sous -bondes, nous avons déterminé l'expression du courant de drain en fonction des tensions de polarisation de la grille et de drain.
Un programme de simulation numérique du langage MATLAB a été mis au point et nous a permis d'obtenir :
" Les caractéristique IDS en fonction de VGS et VDS et fonction du nombre de sous-bandes
" Les caractéristique de transfert IDS(VGS ) pour de sous-bandes
" Les caractéristique IDS(VGS) en fonction du diamètre du nanotube pour plusieurs sous-bandes.
Description
Keywords
Transistor à effet de champ, Nanotube de carbone, Dispositifs électriques