Etude Simulation par Monte-Carlo de deux détecteurs à semi-conducteur (Ge et Si)

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dc.contributor.authorBoukheit, Rania
dc.contributor.authorAs, Nour El houda
dc.contributor.authorLakehal, Chaouki
dc.date.accessioned2022-10-20T06:56:16Z
dc.date.available2022-10-20T06:56:16Z
dc.date.issued2022
dc.description.abstractLes détecteurs de radiation à base de semi-conducteurs ont une bonne résolution énergétique par rapport à plusieurs détecteurs. Pour cela, ils sont souvent utilisés dans les mesures de spectrométrie gamma. Ces mesures ont besoin une grande précision à la détermination de quelques paramètres. Certaines des paramètres prouvent être déterminer par l’expérience, par contre pour certain d’autre paramètres, ils ont besoin de calcules numérique on utilisant le code de simulation. Dans ce travail nous avons étudié numériquement deux détecteurs semi-conducteur silicium et germanium afin d’évaluer deux paramètres essentiels (l’efficacité de détecteur et photofraction) Nous avons pu dans ce travail établir des relations entre ces paramètres et entre l’énergie du rayonnement, la géométrie de la source de rayonnement et la distance source-détecteur.ar
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/13845
dc.language.isootherar
dc.publisherUniversité Oum El Bouaghiar
dc.subjectSpectrométrie gammaar
dc.subjectDétecteur à semi-conducteurar
dc.subjectGe, Si, efficacité de détectionar
dc.subjectPhotofractionar
dc.titleEtude Simulation par Monte-Carlo de deux détecteurs à semi-conducteur (Ge et Si)ar
dc.title.alternativeétude de l'efficacité de détectionar
dc.typeOtherar
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