Etude Simulation par Monte-Carlo de deux détecteurs à semi-conducteur (Ge et Si)
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Date
2022
Authors
Boukheit, Rania
As, Nour El houda
Lakehal, Chaouki
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Université Oum El Bouaghi
Abstract
Les détecteurs de radiation à base de semi-conducteurs ont une bonne résolution énergétique par rapport à plusieurs détecteurs. Pour cela, ils sont souvent utilisés dans les mesures de spectrométrie gamma.
Ces mesures ont besoin une grande précision à la détermination de quelques paramètres. Certaines des paramètres prouvent être déterminer par l’expérience, par contre pour certain d’autre paramètres, ils ont besoin de calcules numérique on utilisant le code de simulation.
Dans ce travail nous avons étudié numériquement deux détecteurs semi-conducteur silicium et germanium afin d’évaluer deux paramètres essentiels (l’efficacité de détecteur et photofraction)
Nous avons pu dans ce travail établir des relations entre ces paramètres et entre l’énergie du rayonnement, la géométrie de la source de rayonnement et la distance source-détecteur.
Description
Keywords
Spectrométrie gamma, Détecteur à semi-conducteur, Ge, Si, efficacité de détection, Photofraction