Etude bidimensionnelle du MESFET en utilisant la technique de fonction de green

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dc.contributor.authorKhoualdi, Nadjet
dc.contributor.authorZaabat, Mourad
dc.date.accessioned2018-11-28T09:21:45Z
dc.date.available2018-11-28T09:21:45Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractDans ce mémoire nous avons essayé de déterminer la limite bidimensionnelle de la zone dépeuplée d'un transistor à effet de champ, et pour déterminer les caractéristique des MESFET en utilisant le modèle de CURTICE. Dans le premier chapitre, nous avons présenté les transistors à effet de champ MESFE Dans le deuxième chapitre nous avons introduit la fonction de Green et le modèle de CURTICE pour déterminer la limite de la zone dépeuplée et leurs caractéristiques Dans le troisième chapitre, nous avons développé un logiciel pour étudier les caractéristiques du MESFET. En changeant les paramètres de la structure. Nous avons tracé des courbes représentant le profil de la zone dépeuplée, le potentiel, les caractéristiques IV courant tension, l'effet des résistances parasites sur les caractéristiques courant drain, la transconductance en fonction de tension de la grille, la conductance en fonction de tension de drain, la capacité de la grille en fonction de tension de grille du transistor à effet de champ.ar
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/6577
dc.language.isofrar
dc.publisherUniversité Oum El Bouaghiar
dc.subjectTransistor : champar
dc.subjectFonction de Greenar
dc.subjectModèle de Curticear
dc.subjectTransistor Mesfetar
dc.titleEtude bidimensionnelle du MESFET en utilisant la technique de fonction de greenar
dc.typeOtherar
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