Préparation de couches semi-conductrices de ZnO par dip-coating
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Date
2021
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Publisher
Université de Larbi Ben M’hidi- Oum El Bouaghi
Abstract
Ce travail porte sur l'élaboration et la caractérisation de couches minces nanocristalline d'oxyde de zinc (ZnO) préparées par la technique de dépôt dip-coating. Comme application nous avons tenté de réaliser des photodétecteurs à base des couches de ZnO préparées. Ainsi nous avons préparé une série d'échantillons le paramètre modulable est le temps de trempage, nous avons travaillé avec des temps de trempage de : 60, 90 et 120 secondes. Les résultats obtenues montre que : les couches minces préparées sont transparentes leurs transmission atteint 70 % avec des énergies du gap optique qui varient entre 3.71 eV et 3.55 eV. Les pics des spectres XRD indiquent que tous les films obtenus sont polycristallins avec une structure hexagonale wurtzite. Les tailles des cristallites sont nanométriques et varient entre 29 nm et 35 nm. Les caractéristiques I(V), avant et après illumination, des photodétecteurs réalisés ont des comportements ohmiques. Pour l'ensemble des films le photocourant est plus élevé d'un ordre de décade que le courant à l'obscurité pour la majorité des tensions appliquées. Le photodécteur réalisé pendant les temps ; t, trempage = 120 secondes ; présente le meilleur photocourant et par conséquent une meilleure réponse.
Description
Keywords
Photodétecteur, Obscurité, Illumination, Ultra Violet