Méthode itérative pour la modélisation et la conception des composants
| dc.contributor.author | Aouchache, Fakhreddine | |
| dc.contributor.author | Boudine, Azzedine | |
| dc.date.accessioned | 2018-11-26T11:11:09Z | |
| dc.date.available | 2018-11-26T11:11:09Z | |
| dc.date.issued | 2014 | |
| dc.description.abstract | Dans ce travail ou s'est intéressée à la méthode itérative et ces utilisation au circuit électrique, Au début de la présentation on peut présentes les propriétés physique des semi conducteur telle que l'énergie de bande interdite, la densité de porteurs intrinsèque, la mobilité et la vitesse des porteurs et le champ de claquage seront abordées. Cette partie se termine par étude le transistor a effet de champ MESFET on peut présenter un brève historique sur les transistors puis le principe de fonctionnement et on termine par la contrainte et les domaines d'utilisation. A la deuxième partie on présente une étude théorique sur la méthode itérative (WCIP) basée sue le concept de l'onde transversale et des sources auxiliaires localisées, un logiciel a été développée sous MATLAB basée sur la méthode WCIP à l'analyse d'une structure planaire intégrant un transistor MESFET planaire par sa conception et sa caractérisation, décrits au troisième chapitre, le dernier chapitre regroupe touts les remarques et conclusion tiré auefur de la réalisation de ce mémoire. | ar |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/6531 | |
| dc.language.iso | fr | ar |
| dc.publisher | Université Oum El Bouaghi | ar |
| dc.subject | Circuit électrique | ar |
| dc.subject | Transistor Mesfet | ar |
| dc.title | Méthode itérative pour la modélisation et la conception des composants | ar |
| dc.type | Other | ar |