Optimisation des caractéristiques des transistors à effet de champ à l'arséniure de gallium à grille Schottky MESFET GaAs

dc.contributor.authorMellal, Saida
dc.contributor.authorAzizi, Cherifa
dc.date.accessioned2018-01-21T08:31:25Z
dc.date.available2018-01-21T08:31:25Z
dc.date.issued2015
dc.description.abstractAu cours de cette étude on a développé une approche de modélisation statique du transistor Mesfet GaAs basée sur une analyse bidimensionnelle du potentiel dans la zone d'activité sous la grille qui donne un véritable rapprochement des caractéristiques du composant. Le calcul des expressions des principales caractéristiques, décrivant le comportement du composant, nous a permis de mettre en évidence l'influence des divers paramètres intervenant dans le fonctionnement en vu de quantifié leurs effet sur les caractéristiques électriques du Mesfet. Cette analyse est accomplie on s'appuyant sur un logiciel de simulation basé sur les expressions analytiques développées précédemment. Les résultats obtenus ont montré que les meilleures performances de ce composant sont obtenues pour une épaisseur faible de la couche active, pour des longueurs de grilles réduites (grilles submicroniques) et pour un canal fortement dopé. L'optimisation de ces paramètres est étroitement liée à l'accroissement des performances des circuits logiques et analogiques. L'amélioration générale des caractéristiques électriques du transistor MESFET GaAs passe avant toute chose par l'amélioration de la qualité des matériaux utilisés, la géométrie de la structure ainsi que la technologie de réalisationar
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/764
dc.language.isofrar
dc.publisherUniversité d' Oum El Bouaghiar
dc.subjectTransistor Mesfet GaAsar
dc.subjectCaractéristique électrique : Mesfetar
dc.titleOptimisation des caractéristiques des transistors à effet de champ à l'arséniure de gallium à grille Schottky MESFET GaAsar
dc.typeOtherar
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