Effet de la température sur les propriétés statistiques du composant actif effet de champ mesfet gaas

dc.contributor.authorKhial, Aicha
dc.contributor.authorAzizi, Cherifa
dc.date.accessioned2018-11-28T09:12:55Z
dc.date.available2018-11-28T09:12:55Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractDans les sciences de l'information tell que l'informatique, les télécommunications, le traitement de la transmission des signaux ou d'images, les composants à effet de champ jouent un rôle primordial. Dans ce travail, nous avons présenté tout d'abord le matériau de l'arséniure de gallium en précisant ces propriétés électriques et celles de transport. En suite, Nous nous sommes intéressés aux caractéristiques de la diode Schottky. Un modèle des caractéristiques statique courant- tension I-V du MESFET GaAs a été obtenu pour diverses températures de fonctionnement. Dans ce cadre, nous avons élaboré un logiciel de simulation basé sur des expressions analytiques que nous avons établies précédemment. Les résultats originaux obtenus sont interprétésar
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/6574
dc.language.isofrar
dc.publisherUniversité Oum El Bouaghiar
dc.subjectTransistor Mesfet GaAsar
dc.titleEffet de la température sur les propriétés statistiques du composant actif effet de champ mesfet gaasar
dc.typeOtherar
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