Effet de la température sur les propriétés statistiques du composant actif effet de champ mesfet gaas
| dc.contributor.author | Khial, Aicha | |
| dc.contributor.author | Azizi, Cherifa | |
| dc.date.accessioned | 2018-11-28T09:12:55Z | |
| dc.date.available | 2018-11-28T09:12:55Z | |
| dc.date.issued | 2011 | |
| dc.description.abstract | Dans les sciences de l'information tell que l'informatique, les télécommunications, le traitement de la transmission des signaux ou d'images, les composants à effet de champ jouent un rôle primordial. Dans ce travail, nous avons présenté tout d'abord le matériau de l'arséniure de gallium en précisant ces propriétés électriques et celles de transport. En suite, Nous nous sommes intéressés aux caractéristiques de la diode Schottky. Un modèle des caractéristiques statique courant- tension I-V du MESFET GaAs a été obtenu pour diverses températures de fonctionnement. Dans ce cadre, nous avons élaboré un logiciel de simulation basé sur des expressions analytiques que nous avons établies précédemment. Les résultats originaux obtenus sont interprétés | ar |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/6574 | |
| dc.language.iso | fr | ar |
| dc.publisher | Université Oum El Bouaghi | ar |
| dc.subject | Transistor Mesfet GaAs | ar |
| dc.title | Effet de la température sur les propriétés statistiques du composant actif effet de champ mesfet gaas | ar |
| dc.type | Other | ar |