Etude des proprietes statiques du transistor a effet de champ mesfet Ga As

dc.contributor.author	Aissaoui Elkhamssa
dc.date.accessioned	2021-11-07T08:30:41Z
dc.date.available	2021-11-07T08:30:41Z
dc.date.issued	2021
dc.description.abstract	Le transistor à effet de champ à barrière Schottky à l'arséniure de gallium dit MESFET GaAs est un composant essentiel dans les dispositifs électroniques pour fabriquer les circuits intégrés. Aussi, une étude approfondie des propriétés statiques est nécessaire. Nous présentons les propriétés du transistor MESFET GaAs à barrière Schottky et son principe de fonctionnement. Nous avons mis au point un logiciel en langage Fortran F95 qui nous permet de faire un analyse numérique pour déterminer les équations de courant de drain en fonction des tensions de grille et de drain. Nous avons mis en évidence l'influence des paramètres physiques et géométriques sur les caractéristiques de courant, à partir du logiciel de simulation. En conclusion, cette étude nous a permis de connaître les paramètres physiques et géométriques optimaux du composant pour l'application d'amplification en puissance micro-onde.	ar
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/11474
dc.language.iso	fr	ar
dc.publisher	Université de Larbi Ben M’hidi- Oum El Bouaghi	ar
dc.subject	Micro-onde	ar
dc.subject	Arséniure de gallium	ar
dc.subject	Courant de drain	ar
dc.title	Etude des proprietes statiques du transistor a effet de champ mesfet Ga As	ar
dc.type	Other	ar

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Name:: ETUDE DES PROPRIETES STATIQUES DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP MESFET GaAs.pdf
Size:: 31.89 MB
Format:: Adobe Portable Document Format
Description:: Etude des proprietes statiques du transistor a effet de champ mesfet Ga As

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