Etude et simulation du modèle électrique d’un MOSFET canal N en vue de la conception de son circuit de pilotage
No Thumbnail Available
Date
2011
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Université Oum El Bouaghi
Abstract
Nous avons présenté l’un des composants de commutation de puissance le
plus utilisé dans l’électronique de puissance qui est le MOSFET. Nous avons cité
quelques types et quelques structures selon la technologie menée, la puissance
commutée et les modes de fonctionnement voulus par l’opérateur. A l’issue de cette
description, nous avons arrivé à modéliser physiquement ce composant par un schéma
électrique équivalent tout en identifiant chaque paramètre et en citant ses méthodes de
calcul et de mesure.
Ensuite, Nous avons présenté la notion de pilotage d’un MOSFET lié à la
présence de quelques problèmes et quelques contraintes de fonctionnement.
Il existe plusieurs topologies et catégories des Drivers comme circuit de pilotage.
Cette variété est liée au type de connexion de la masse du circuit de commande avec
la borne Source du MOSFET. Pour la catégorie des Drivers « High Side », nous avons
décrit deux types de circuit sans transformateur. Ainsi, nous avons présenté quelques
exemples de Drivers en modules intégrés.
Enfin, Nous avons arrivé à analyser un exemple de circuit de pilotage qui est le
Driver inverseur à couplage direct. Cette analyse a donné naissance de deux
séquences principales (ON et OFF) correspondantes aux deux état de commutation du
MOSFET. Après un dimensionnement du MOSFET à partir des données fournies par
la fiche technique, nous avons pu simuler l’association Driver-MOSFET et obtenu des
résultats relativement satisfaisants