Elaboration et caractérisation des couches nanostructurées des oxydes semiconducteurs

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dc.contributor.authorAbdellaoui, Amina
dc.contributor.authorBenkara, Salima
dc.date.accessioned2021-03-15T11:00:52Z
dc.date.available2021-03-15T11:00:52Z
dc.date.issued2020
dc.description.abstractNotre présente étude a pour objectif motiver et étudier des couches minces d'oxyde 'étain (SnO2) pur et dopées Nickel (1%, 3%, 5% et 10%) par la technique sol-gel (dip-coating), afind'étudier l'influence de Ni sur les propriétés des films élaborés. La motivation pour l'emploi de cette technique est sa simplicité et le faible coût. Les résultats de la caractérisation obtenus de DRX montrent que le diagramme dediffractionélaboré à partir de SnO2 pur indique une structure cristalline de type tétragonale. Pour le film SnO2 dopé 5%Ni, on a un changement de la structure de type tetragonale suivantles plans (110), (101), (200) et (211). L'analyse par le spectrophotomètre UV-Visible présente une augmentation de la transmittance pour les films en fonction de dopage avec une forte valeur moyenne autour de88% pour le film de SnO2-1%Ni. De plus, l'écart énergétique diminue avec l'augmentation de pourcentage de dopage du Nickel dans le film.ar
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/10284
dc.language.isootherar
dc.publisherUnivérsité Oum El Bouaghiar
dc.subjectCouche mincear
dc.subjectOxyde d'étainar
dc.subjectTechnique sol-gelar
dc.subjectElaboration : caractérisation : couche nanostructuréear
dc.titleElaboration et caractérisation des couches nanostructurées des oxydes semiconducteursar
dc.typeOtherar
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