Elaboration et caractérisation des couches nanostructurées des oxydes semiconducteurs
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Date
2020
Authors
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Publisher
Univérsité Oum El Bouaghi
Abstract
Notre présente étude a pour objectif motiver et étudier des couches minces d'oxyde 'étain
(SnO2) pur et dopées Nickel (1%, 3%, 5% et 10%) par la technique sol-gel (dip-coating), afind'étudier l'influence de Ni sur les propriétés des films élaborés.
La motivation pour l'emploi de cette technique est sa simplicité et le faible coût.
Les résultats de la caractérisation obtenus de DRX montrent que le diagramme dediffractionélaboré à partir de SnO2 pur indique une structure cristalline de type tétragonale.
Pour le film SnO2 dopé 5%Ni, on a un changement de la structure de type tetragonale suivantles plans (110), (101), (200) et (211).
L'analyse par le spectrophotomètre UV-Visible présente une augmentation de la
transmittance pour les films en fonction de dopage avec une forte valeur moyenne autour de88% pour le film de SnO2-1%Ni.
De plus, l'écart énergétique diminue avec l'augmentation de pourcentage de dopage du
Nickel dans le film.
Description
Keywords
Couche mince, Oxyde d'étain, Technique sol-gel, Elaboration : caractérisation : couche nanostructurée