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Item Fabrication et controle physico- chimique et microbiologique du sirop allertine 0.1 %(Université d'Oum El Bouaghi, 2023) Nasri, Saliha; Ababsa, Zine El AbidineNotre travail est une étude sur le procédé de fabrication et du contrôle du sirop ALLERTINE 0.1% produit au niveau de Saidal Constantine 2, son principe actif est le LORATADINE qui est un antihistaminique à usage systémique. Les antihistaminiques sont des médicaments qui protègent les cellules d’autres effets allergiques dus à l’Histamine, ils se lient aux récepteurs et les empêchent de fixer l’histamine. De ce fait, l’histamine ne peut plus causer de réaction chimique à l’intérieur des cellules. Les symptômes de l’allergie sont alors éliminés. Tous les résultats des contrôles du produit fini du sirop ALLERTINE 0.1% ont montré une conformité aux normes exigées par la pharmacopée européenne et le dossier technique du produit. Les valeurs obtenues de pH et de densité sont les deux dans les intervalles de tolérance mentionnés dans le dossier technique de notre sirop. L’identification et le dosage du principe actif ainsi que le conservateur via HPLC ont donné des résultats conformes aux normes de la pharmacopée européenne. Les tests microbiologiques ont prouvé l’absence totale : des germes aérobiques, les levures et les moisissures, ainsi que la souche bactérienne Escherichia coli.Item Réalisation d’une chaine de transmission numérique MIMO dans un système de Télécommunication avancé(Université d'Oum El Bouaghi, 2023) Meguerraa, Malika; Goumeidane, FayçalDans un système mono-antenne l’augmentation de la taille de la modulation ou de la bande de fréquence utilisée sont les seules solutions pour augmenter le débit de données, avec tous les problèmes de complexité ou d’encombrement que cela entraine. Partant du point de vue de la théorie de l’information, deux membres des laboratoires de recherche Bell, Telatar et Foschini, ont parallèlement et indépendamment montré que la capacité des systèmes d’antennes multiples en émission et en réception (Multiple Input Multiple Output : MIMO) augmente linéairement avec le nombre d’antennes émettrices, dépassant de manière significative la limite théorique de Shannon. La capacité des systèmes multi-antennes à résister aux évanouissements et aux interférences constitue par ailleurs un avantage supplémentaire garanti.Item Amélioration de la performance d'une communication optique en espace libre (FSO) point à point en utilisant des faisceaux optiques modulés (application aux satellites et Radar embarqués)(Université d'Oum El Bouaghi, 2023) Moudjari, Amel; Kouassah, Haya; Hamouda, AmarLa communication optique en espace libre (FSO) est une technologie très récente et émergente pour établir le haut débit des systèmes de transmission de données sans fil utilisant des faisceaux optiques modulés. L’adoption du système FSO est principalement nécessaire lorsque toute connexion physique entre l’émetteur et le récepteur est pratiquement impossible et où une transmission de données à bande passante élevée est attendue. La performance de la technologie de communication FSO dépend fortement de l’atténuation atmosphérique qui est liée à la visibilité des différentes conditions météorologiques les conditions ainsi que les longueurs d’onde de fonctionnement.Item Les Lasers et leurs applications dans le domaine ophtalmologique(Université d'Oum El Bouaghi, 2023) Sahraoui, Khawla; Mahmoudi, Dounia; Cheddadi, AmelLe sujet que nous présentons dans ce mémoire porte sur l’étude des lasers et leurs applications dans le domaine ophtalmologique. En premier lieu nous présentons les caractéristiques des lasers ainsi que leur principe de fonctionnement. En second lieu nous étudiant les différents types de lasers classés selon la nature du milieu amplificateur : gazeux, liquide (colorant) ou solide. Pour finir nous présentons l’anatomie de l’œil Ainsi que l’utilisation des lasers dans le domaine ophtalmologique pour traitement des maladies oculaires, les lasers étudiés sont : le laser YAG, laser à Argon, laser Excimer, laser femtoseconde et le laser SLT.Item Etude des propriétés structurales, électroniques et optiques des alliages semi-conducteurs BaxPb1-x S pour les dispositifs optoélectroniques(Université d'Oum El Bouaghi, 2023) Benkhedir, Badra; Berkani, Khaoula; Gagui, SouheylaLes propriétés structurelles, électroniques et optiques de BaS,PbS et leurs alliages pour x= (0,25, 0,5, 0,75) dans la structure Rock-Salt "NaCl" ont été calculées à l’aide de la méthode FP-LAPW à plein potentiel dans le cadre de la théorie fonctionnelle de la densité (DFT). En utilisant l’approximation de gradient généralisé (WC-GGA) de Wu-Cohen, pour calculerle paramètre de réseau, le module de compressibilité. Nous avons trouvé que le paramètre de réseaux a augmente avec l'augmentation de la concentration du Baryum et l’inverse pour le module de compressibilité. La structures de bande électronique et l’énergie du gapsont calculées à l’aide d’un schéma de paramétrage modifié de Tran-Blaha Becke-Johnson (TB-mBJ). Nous avons obtenu que le gap est direct pour les composées PbS et Pb1-xBaxS respectivement quand (x=0,25, 0,5, 0,75) Sauf que le composé binaire BaS possède un gap indirect. Les propriétés optiques des composés binaires et de leurs alliages ternaires ont été calculéesainsi que la partie imaginaire ε2 et la partie réelε1, l'indice de réfraction n, le coefficient d'absorption α, la réflectivité R, laconductivité optique σet l'énergie perdu L; utilisant l’approximationde Tran-Blaha Becke-Johnson (TB-mBJ) ;Notre matériaux étudiés absorbentla lumière dans le domaine visible-Ultraviolet. Donc ces matériaux sont favorables dans lafabricationdes cellules solaires et des dispositifs optoélectroniques. Les résultats calculés sont comparés aux données expérimentales et théoriques disponibles.Item Etude métallurgique et mécanique des soudures TIG hétérogène(Université d'Oum El Bouaghi, 2023) Bayou, Ghada; Boumenad, Karima; Goumeidane, FayçalLes aciers inoxydables ferritiques en générale, et la nuance ferritique AISI 430 en particulier, sont associés à de nombreux problèmes lors du procédé de soudage. Ces problèmes sont le grossissement des grains, à la fois dans la zone fondu (ZF) et celle affectée thermiquement (ZAT), et la formation de martensite au joints des grains au niveau de la zone fondu. Le grossissement des grains de la ferrite à haute température et la présence de martensite font que l’assemblage devient sensible à la rupture fragile. Cette étude, est une évaluation comparative entre des soudures TIG en acier inoxydable ferritique AISI 430, utilisant différents métaux d'apports, austénitiques (de types 308, 309 et 316) et austenito-ferritique (de type 2209). Alors l'objectif de cette étude est double, d'abord trouver le métal d’apport adéquat, ensuite optimiser les paramètres de soudage TIG continue et TIG pulsé. Les résultats obtenus indiquent que, la microstructure de solidification et les propriétés mécaniques des joints de soudures sont influencées par les paramètres de soudage et par le type du métal d'apport. Les résultats montrent également que l'utilisation du procédé de soudage TIG pulsé à basse fréquences, et le métal d'apport austénitique de type 308 conduit à des meilleures propriétés mécaniques.Item Etude du transist à effet de champ à grille schottky à l'arseniure de gallium dit MESFET GaAs en régime statique(Université d'Oum El Bouaghi, 2023) Benyoucef, Sawsen; Bechoua, Khadidja; Azizi, CherifaLe transistor à effet de champ à barrière Schottky à l'arséniure de gallium dit MESFET GaAs est un composant essentiel dans les dispositifs électroniques pour fabriquer les circuits intégrés. Sur cette base notre étude porte sur la simulation de ce composant en régime statique. Nous présentons, tout d’abord, les différents transistors à effet de champ avec leurs structures et principes de fonctionnement JFET, MOSFET, MESFET et HEMT. Nous présentons brièvement les propriétés du matériau semi-conducteur arséniure de gallium GaAs puis un modèle mathématique des propriétés statiques du transistor MESFET GaAs à barrière Schottky. Nous avons mis au point un logiciel en langage MATLAB version 7 basé sur les expressions analytiques. Les résultats concernant les caractéristiques courant-tensions du composant et l’influence des paramètres géométriques physiques et la température ont été obtenus et discutés. Ces résultats seront utilisés dans l’étude des circuits microonde et logique à base de MESFET GaAs.Item Simulation d’une chaine de transmission numérique à une longueur de 100 Km.(Université d'Oum El Bouaghi, 2023) Messai, Souhila; Besbaci, Naoue; Bordji, BachirNotre travail consiste à réaliser par simulation sous Optisystem une chaine de transmission numérique par fibre optique afin d’améliorer le facteur qualité du signal d’informations à transmis et par la suite diminuer au maximum le taux d’erreur binaire (BER ≡ Ratio Error Binary).Item دراسة النظم العازلة المتعددة الطبقات من أجل تطبيقات في الإلكترونات الضوئية(جامعة العربي بن مهيدي أم البواقي, 2004) بوشوارب، وردة; محجوب، عبد الحكيمالجمل المتعددة الطبقات العازلة لها أهمية كبيرة في تطبيقات الإلكترونيات الضوئية، حيث تطرقنا إلى البعض منها كمرايا براغ والمرشحات الصوتية والأغطية المضادة للانعكاس باستعمال مادتي أكسيد السيليسيوم SiO2 وأكسيد التيتانيوم TIO2على مساند من ميليسيوم Si وزجاج. الهدف المحدد لهذا العمل هـو تحقيق نماذج نظرية لتشبيه الاستجابة الضوئية للجمل المدروسة والتي تسمح بالتوصل إلى تجويد إمكانياتما قبل الشروع في إنجازها. النماذج ترتكز على نظرية الأوساط المتعددة الطبقات التي تسمح بـحساب عامل الانعكاس من أجل مختلف الجمل المتعددة الطبقات العازلة. بالإضافة إلى توصلنا لطبقات متدرجة القرينة التي يمكنها تعويض النظم الكلاسيكية ذات قفز القرينة بالنوعية نفسها تفاديا للأسطح الفاصلة وترسيبها يتم على مرحلة واحدة. وفد سـمحت لنا النماذج باستعمال طرق رياضية بسيطة بدراسة جمل متعددة الطبقات معقدة يالاستعمالات الإلكترونيات الضوئية وتوصلنا إلى تحمين نوعيتها.Item خرق التناظر CP في النموذج المعياري غير التبديلي(جامعة العربي بن مهيدي أم البواقي, 2006) بوبعة، إدريس; مباركي، نور الدينفي هذه المذكرة قمنا بدراسة خرق التناظر في النموذج المعياري غير التبديلي من أجل الإختلاط وذلك من خلال الوسيط حيث إستعملنا في حسابه التعديل البعدي،وخلصنا في الأخير إلى أن منبع خرق التناظر هو الزمان-مكان غير التبديلي و تبين أن منبع خرق التناظر يرجع إلى الوسيط غير التبديلي.Item Modélisation bidimensionnelle du transistor MESFET par une méthode itérative(Université de Larbi Ben M’hidi-Oum Oum El Bouaghi, 2008) Ziar, Toufik; Mohammed Brahim, T.Dans ce mémoire, nous avons essayer de démontrer l'importance des simulateurs micro-ondes dans la l'industrie des circuits planaires actifs ( dans notre étude le circuit planaire actif est à base d'un transistor MESFET ), spécialement dans les étapes de conception, de modélisation et de recherche des caractéristiques optimales attendues du circuit une fois dans son environnement final. Ces simulateurs sont conçus à base de logiciels développés à partir des méthodes de caractérisation électromagnétiques globales, citons par exemple : a- les méthodes temporelles : FDTD (finité différence time Domain technique), FEDT (finité élément time Domain) et la TLM (transmission line méthode). a- les méthodes fréquentielles : la FE (finité élément) et la MOM (méthode of moment). Le premier chapitre présente l'état de l'art des transistors à effet de champ MESFET et des lignes micro ruban. Le deuxième chapitre introduit le concept de modélisation du transistor à effet de champ métal semi conducator MESFET par la présentation du modèle' Scholey et deux modèles empiriques ainsi que le modèle du circuit électrique équivalent. Le troisième chapitre présente une étude théorique détaillée de la méthode itérative avec sources auxiliaires localisées. Dans le quatrième chapitre, nous avons développer un logiciel en MATLAB pour simuler la structure du circuit planaire actif à base du transistor MESFET et par un changement de paramètres de la structure (dimensions, qualité du substrat, nombre de pixels par structure, largeur des micro ruban) ainsi que des paramètres de simulation( bande passante, nombre d'itérations) , nous avons tracé des courbes représentant l'influence de ces paramètres sur les caractéristiques du circuit étudié comme l'impédance d'entrée ,les coefficient de transmission et de réflexion, les distributions des densités des courant électrique et de champ électrique à l'interface du circuit.Item Mise au point et application d'une méthode MNDO adaptée à l'étude des spectres électroniques d'absorption (MNDO/S)(Houari Boumediene Alger, 1989) Beladas, Kenza; Maouche, BSans résuméItem Contribution à l'étude de la barrière Schottky à base de sulfure de cadmium CDS(Houari Boumediene Alger, 1989) Benarab Mehenni, Nacéra; Mahdjoubi, LSans résuméItem Caractérisation diélectrique de réaction de polymérisation(Université d' Oum El Bouaghi, 1989) Cherif Djouama, Torkia; Soualmia, AssiaSans résuméItem Contribution à l'étude de la densité de la matière nucléaire(Université d' Oum El Bouaghi, 1989) Houamer, Salim; Fellah, MohamedItem Contribution à l'étude du paramètre du réseau de la solution solide cuivre-nickel(Université d' Oum El Bouaghi, 1989) Allili, Baya; Kadi-Hanifi, MouhyddineSans résuméItem Modélisation bidimensionnelle de circuits actifs hyperfréquence(Université d' Oum El Bouaghi, 2008) Amri, Houda; Zaabat, MCircuits à ondes courtes sont les circuits QUI ont des fréquences élevées et exigent une grande précision à accomplir et il est donc nécessaire de réaliser plusieurs modèles pour les tester et de déterminer les actions initiales de chaque modèle et de la mise en place du programme d'étude globale, peut effectuer une étude de l'état général du circuit avant la fin, mais la méthode traditionnelle est basée sur l'augmentation statistiques sur les détails d'éléments douteux. C'est notre travail à l'étude de circuits planaires à de très hautes fréquences en utilisant façon numérique FMT -ci dépend de la définition de l'onde et est une méthode mise au point dans le laboratoire et le courrier ENSEEIHT Tatmdz à déterminer la relation entre les vagues et réfléchis et respecter les conditions aux limites et les relations de continuité dans le domaine de l'espaceItem Etude de transport de spin polarisé dans les semi conducteurs(Université d' Oum El Bouaghi, 2010) Khenchoul, Salah; Boudine, Aans cette thèse nous avons fait une étude bidimensionnelle de phénomène de transport de spin polarisé dans les semi-conducteurs. Une étude théorique et numérique a été réalisée dans le cas d'un dispositif appelé transistor spin FET où il a été question de mettre en évidence ce type de transport. Ainsi donc en se basant sur des récentes études sur les contacts ferromagnétique semi-conducteur, on a pu étudie la transconductance de ce transistor qui s'agit d'un transistor de type HEMT dans lequel on remplace la source et le drain par des contacts ferromagnétique. Le contact de source joue le rôle de polariseur de spin pour les électrons injectés dans le canal de conduction du transistor et le contact de drain est analyseur de spin pour ceux parvenus en fin de canal. Le courant de drain varie ainsi avec les orientations relatives du spin des électrons en fin de canal et de l'aimantation du contact de drain. Or, il est possible de le contrôler, grâce à la tension de grille. Cette étude a été couronnée par une analyse numérique en fonction du champ extérieur et des caractéristiques internes du semi-conducteurItem Analyse des transistors à effet de champ Mesfet GaAs(Université d' Oum El Bouaghi, 2010) Marki, Rebiha; Azizi, CherifaL'amélioration des composants électroniques nécessite beaucoup d'efforts au niveau de la conception, de la fabrication que de la caractérisation. Dans ce cadre, la modélisation prouve son utilité en permettant de prévoir les caractéristiques des composants avant la réalisation et par la suite réduire le coût de fabrication. Dans le premier chapitre, nous avons détaillé la structure du MESFET GaAs ainsi que son principe de fonctionnement. Dans le second chapitre, On a étudié un modèle analytiquement dans le but déterminer les caractéristiques statiques du composant en tenant compte des paramètres physiques et géométriques, ainsi que l'effet de la mobilité et des éléments parasites. Dans le dernier chapitre, on a vérifié la validité des différents résultats obtenus. Les paramètres importants qui définissent le MESFET GaAs sont établis et simulésItem Utilisation de la méthode non linéaire pour la caractérisation du Moseft(Université d' Oum El Bouaghi, 2010) Zemmal, Badr Eddine; Zaabat, ML'industrie des circuits intégrés est actuellement basée sur la réduction des dimensions des dispositifs électroniques actifs tels que les transistors à effet de champ MOSFETs. On peut améliorer les paramètres physiques et géométriques du composant tel que le profil de dopage de la zone active, la mobilité des porteurs de charge, la longueur du canal afin d'obtenir des performances élevées. Au début de la présentation, on présente la famille des différents transistors à effet de champ et on montre les avantages pour l'utilisation en hyperfréquence. Les propriétés physiques des semi conducteurs telles que l'énergie de bande interdite, la densité de porteurs intrinsèques, la mobilité et la vitesse des porteurs et le champ de claquage seront abordées dans la présente étude .Cette partie sera clôturée par la présentation du transistor MOSFET et de son principe de fonctionnement L'étude des propriétés statiques du composant MOSFET, nous a conduits à définir l'ensemble des équations régissant le comportement de la zone active, et d'identifier les paramètres physiques et géométriques impliqués dans le fonctionnement du modèle proposé du transistor. Finalement, on doit vérifier la validité des différents résultats obtenus dans l'étude théorique par la simulation des paramètres dominants caractérisant ce composant