Browse
Recent Submissions
Item Simulation numérique par DETEFF de l'effet de la zone morte sur l'efficacité d'un détecteur à Germanium(Université d'Oum El Bouaghi, 2023) Zouaghi, Asma; Soltani, wiam; Lakehal, Chaouki• La détection des rayonnements gamma nécessite des détecteurs performants. L’un de ces derniers est le détecteur à germanium. • Un des paramètres essentiels qui détermine la qualité des détecteurs à semi-conducteurs et l’efficacité de détection. • Les conditions externes peuvent créer une couche externe dite « zone morte » sur le cristal à semi-conducteurs, cette zone est une couche inactive qui ne sert à rien. • Dans ce travail, nous avons étudié l’influence de cette zone sur l’efficacité de détection en utilisant le programme DETEFF. • Les résultats montrent que ce programme donne des mauvais résultats quand on applique des variations sur les épaisseurs de la zone morte.Item Effet de la déformation et du cuivre sur les propriétés des alliages Al-Mg-Si(Université d'Oum El Bouaghi, 2023) Amirate, Zaman OUNIS; Farh, HichemLa présente étude est faite sur les alliages Al-Mg-Si faisant partie de la classe des alliages à durcissement par précipitation. Ce travail a pour but d'étudier l’influence de l’addition du cuivre, et la déformation à froid sur la microstructure et la microdureté des alliages Al-Mg-Si. Différentes techniques expérimentales ont été utilisées pour le suivi l’évolution de la microstructure et la microdureté. Nous avons utilisé la microscopie optique, la microscopie électronique à balayage, la microdureté et la diffraction des rayons X (DRX). Les résultats que nous avons obtenus concernent essentiellement l’effet du cuivre, et la déformation à froid sur les propriétés des deux alliages étudiés. L’addition du cuivre aux alliages d’Al-Mg-Si affine la taille des grains, et augmente les propriétés mécaniques. Ainsi que la déformation à froid augmente la microdureté et accélère la précipitation.Item Simulation comsol des états d’interfaces dans les structures MOS(Université Oum El Bouaghi, 2022) Azizi, Marwa; Achour, Anfel; Merzougui, AminaL e travail de ce mémoire est concentré sur l’analyse des caractéristiques Capacité-Tension C(V) d’une capacité MOS à oxyde mince, dans le but d’étudier l’influence des états d’interface sur son comportement capacitif. Les caractéristiques C(V) sont obtenues par simulation numérique utilisant le logiciel : COMSOL Multiphysics qui était validé et testé au premier lieu par des simulations simples analysant l’effet de l’épaisseur d’oxyde et celui du dopage du substrat. Nous avons utilisé par la suite ce programme pour étudier l’influence des états d’interface, les C(V) obtenues montrent clairement que ces derniers influent sur la capacité de la structure en régime de déplétion, et que plus l’épaisseur d’oxyde est faible, plus l’effet des états d’interface est plus visible. Nous tenons à confirmer que les résultats obtenus sont en parfaite concordance avec ceux existants dans la littérature et avec d’autres simulés sous Matlab. Notre travail trouve son grand intérêt pour les études des oxydes à forte permittivité : High-K proposés à l’origine pour résoudre les problèmes de miniaturisation. Ce modeste travail nous a permis de maitriser un outil informatique performant : le logiciel COMSOL, et de maitre en base une étude considérée comme une initiation à un travail de recherche plus poussé et approfondis.Item Structural, optical and electrical properties of (Ai/ CuO/ ZnO) and (Ai/ CuO/ SnO2) heterostructures prepared by spray pyrolysis intended for the photodetection of ultraviolet light(Université Oum El Bouaghi, 2022) Guechi, Amira; Boutaghou, Wissam; Moualkia, HassibaThis work has been based on the chemical spray pyrolysis technique, it is a very attractive method, that it is used to produce thin films for different applications In this work, we have deposited set samples of ZnO CuO SnO2 thin films, CuO/ZnO and CuO/SnO2 heterojunctions onto glass substrates. Then the same experimental procedure has been used to realize the photodetectors based on PN heterojunctions (Al/CuO/ZnO, Al/CuO/SnO2). As well as, all thin films were analyzed by assorted techniques X-ray diffraction, UV-Vis, and four points method. The XRD patterns showed that the structure of all the films is polycrystalline structure, the average grain size (D) is ranged between 100 and 150 nm whiche is given appropriate electrical and optical performance. It was observed that the electrical conductivity of all samples is good and its values ranged from… to …. Fabricated heterostructure PDs showed a higher absorbance in UV-Vis range which can be exploited for UV detection.Item Contribution d’amélioration d’une chaine de transmission numérique entre OEB et Guelma(Université Oum El Bouaghi, 2022) Cheraifia, Saoussen; Haridi, Kawther; Goumeidane, FayçalLa fibre optique est un guide de lumière qui constitue aujourd'hui le support privilégié pour le transport de l'information à haut débit. Mais pour répondre aux besoins sans cesse, plus importants, engendrés par le développement d'internet en particulier, il s'avère nécessaire d'améliorer toujours les caractéristiques de propagation dans ce genre de guide, surtout celles relatives aux pertes et aux dispersions sur toute la bande spectrale utilisée. Dans ce contexte, nous avons réalisé une étude sur la fibre optique qui relie la wilaya d'Oum El Bouaghi à la wilaya de Guelma et ce dans le but d'améliorer la restitution des signaux d'information et des données à transmettre, basée sur la modification de certaines informations et éléments de la structure concernés à cet effet, on les a conçu par le logiciel : OPTISYSTEM, ou on a pu proposer les solutions pour l’amplification et de la restauration du signal. Abstract Optical fiber is a light guide that is now the preferred medium for high-speed information transport. But in order to meet the ever-increasing needs, generated by the development of the internet in particular, it is necessary to always improve the propagation characteristics in this kind of guide, especially those relating to losses and dispersions over any the spectral band used. In this context, we have carried out a study on the optical fiber which connects the wilaya of Oum El Bouaghi in the wilaya of Guelma in order to improve the restitution of signals of information and data to be transmitted, based on the modification of certain information and elements of the structure concerned for this purpose, we designed them using the software:OPTISYSTEM, where we were able to propose solution for the amplification and restoration of the signal.Item Modélisation et caractérisation des métasurfaces(Université Oum El Bouaghi, 2022) Ferrak, Lotfi; Benhizia, Salah Eddine; Ziar, ToufikCe mémoire porte sur la modélisation et la caractérisation d'un circuit planaire monocouche, constitué d'un substrat mince et isolant, sur lequel est placé un réseau d'antennes planes constitué de quatre éléments rayonnants de conception symétrique. Chaque élément rayonnant consiste à son tour en une matrice 3 x 3 de résonateurs en anneau carré, dans laquelle les résonateurs centraux de chaque rangée sont connectés les uns aux autres et à la ligne d'alimentation. La modélisation et la simulation ont été faites en utilisant la méthode itérative basée sur le concept de l'onde transverse et en ajoutant une méthode d'extraction des propriétés électromagnétiques (NRW), la méthode a été développée pour étudier les circuits planaires à géométrie qualitative. Nous avons utilisé un programme MATLAB pour simuler la structure de l'antenne en changeant les données de structure (hauteur et qualité du substrat).Les courbes tracées montrent l'effet de ces paramètres sur les caractéristiques du circuit : coefficient de transmission S_21, coefficient de réflexion S_11, permittivité εr et la perméabilité µ_r. La simulation nous a permis de nous assurer que notre réseau fonctionne bien en transmission avec un gain de -47 dB à la fréquence de 138 GHz. Nous détectons également très bien les différentes caractéristiques de metasurface (MTS) de notre motif sur la bande choisie, il présente un caractèreENG sur la bande [22-36 GHz] et un caractère DNG. Sur une petite bande en dessous de la fréquence de résonance. L'augmentation de la permittivité du substrat et à travers les paramètre S du support a clairement montré des fluctuations dans la transmission (-38 dB, -52 dB et -43 dB) et une translation de la fréquence de résonance du champ Térahertz vers les basses fréquences, ainsi que Le caractère metasurface (permittivité négative ε_r et perméabilité µ_r négative) observé dans les bandes légèrement en dessous des fréquences de résonance se voit translaté vers les basses fréquences, d’autre part l'augmentation de la hauteur du substrat entraine une diminution de la transmission avec une translation de la fréquence de résonance vers les hautes fréquences accompagnée des caractères métasurfaces. This dissertation deals with the modeling and characterization of a monolayerplanar circuit, consisting of a thin and insulatingsubstrate, on whichisplaced an array of planarantennasconsisting of four radiatingelements of symmetrical design. Eachradiatingelementconsists of a 3 x 3 matrix of square ring resonators, in which the central resonators of eachrow are connected to eachother and to the feed line. Modeling and simulation weredoneusing the iterativemethodbased on the concept of the transverse wave and combiningwith (NRW) an extraction method of electromagneticproperties, the methodwasdeveloped to studyplanar circuits witharbitrarygeometry. Weused a MATLAB program to simulate the structure of the antenna by changing the structure data (dimensions, height and quality of the substrate). The plottedcurves show the effect of theseparameters on the characteristics of the circuit: transmission coefficient S_21, reflection coefficient S_11, permittivity ε_r and permeability µ_r. The simulation allowed us to ensure that our network works well in transmission with a gain of -47 dB at the frequency of 138 GHz. Wealsodetectverywell the differentmetasurfacecharacteristics (MTS) of our pattern on the chosen band, itpresents an ENG character on the band [22-36 GHz] and a DNG character on a small band below the resonantfrequency. Increasing the permittivity of the substrate and through the S-parameters of the medium clearlyshowed fluctuations in the transmission (-38 dB, -52 dB and -43 dB) and a translation of the resonantfrequencyfrom the Terahertz band to the lowfrequencies, as well as The metasurfacecharacter (negativepermittivityε_r and negativepermeabilityµ_r) observed in the bands slightly below the resonance frequencies is translated towards low frequencies, on the other hand the increase in the height of the substrate leads to a decrease in transmission with a translation of the resonancefrequencytowardshighfrequenciesaccompanied by metasurfacecharacters.Item Source d'impulsions ultracourtes pour la transmission numérique sous marine(Université Oum El Bouaghi, 2022) Afif, Rihana; Djenina, AmelCe travail intitulé source d’impulsions ultracourtes pour la transmission numérique sous marine (Réseau d’accès d’Annaba) consiste à réaliser quatre porteuses de différentes fréquences (40 GHz, 80 GHz, 160 GHz et 320 GHz), cette réaliser par simulation basé sur la technique de la compression non linéaire et la technique du multiplexage par divisions de temps optique (OTDM), ce générateur facile de mise en œuvre constitué par des composants optiques et optoélectroniques sont disponibles commercialement Abstract: This work entitled source of ultra-short pulses for underwater digital transmission (Annaba Access Network) consists of making four carriers of different frequencies (40 GHz, 80 GHz, 160 GHz and 320 GHz), this carried out by simulation based on the technique of nonlinear compression and the technique of multiplexing by optical time divisions (OTDM), this easy-to-implement generator consisting of optical and optoelectronic components are commercially available. .Item Etude comparative de l’efficacité de détection entre deux détecteurs à scintillations (NaI et CsI) par le code de simulation DETEFF(Université Oum El Bouaghi, 2022) Djeddi, Ihsene; Bareche, Mohamed Larbi; Lakehal, ChaoukLes détecteurs à scintillation sont souvent utilisés dans certaines mesures de spectrométriegamma. Ce type de mesure demande la détermination avec une grande précision de quelquesparamètres qui jouent un rôle essentiel à la mesure des concentrations des élémentsradioactifs. Certains paramètres peuvent être déterminé par l’expérience, par contre pour certains autresparamètres, le calcules numérique à l’aide d’un code de simulation en se basant sur laméthode Monte-Carlo est le moyen le plus fiable. Dans ce travail, nous avons étudié numériquement deux détecteurs à scintillation différents(NaI et CsI) Afin d’évaluer deux paramètres essentiels (l’efficacité de détection et laPhotofraction). Nous avons pu dans ce travail établir des relations entre ces paramètres et entre l’énergie durayonnement, la géométrie de la source de rayonnement et la distance source-détecteur Summary Scintillation detectors are often used in some gamma spectrometry measurements. This type of measurement requires the determination with great precision of a fewparametersthat play an essential role in measuring the concentrations of radioactive elements. Some parameters can be determined by experience, however for some other parameters,numerical calculation using a simulation code based on the Monte-Carlo method is the mostreliable way. In this work, we have numerically studied two different scintillation detectors (NaI and CsI)in order to evaluate two essential parameters (detection efficiency and Photofraction). We were able in this work to establish relationships between these parameters and betweenthe energy of the radiation, the geometry of the radiation source and the source-detector distance. .Item Etude expérimentale du phénomène de refroidissement des panneaux photovoltaïques(Université Oum El Bouaghi, 2022) Boumaraf, Samia; Bouhnik, Amina Chahinez; Hebbir, NacerSous des conditions climatiques de la température on parle d’une exploitation des capteurs Solaires réduite en matière d’efficacité et de rendement, parmi les solutions qu’on trouve à Faire baisser ce paramètre c’est d’intégrer des systèmes de refroidissement, dans ce travail Nous avons mise en place de la ventilation et ruissèlement et sons des conditions de Fixation de rayonnement nous avons établi l’évolution de la puissance générée afin de Mettre en évidence l’avantage du refroidissement de son approximation à la température Des conditions STC. Abstract : Under climatic conditions of temperature we speak of a reduced exploitation of solar collectors in terms of efficiency and yield, among the solutions that we find to integrate coling systems, in this work we set up the ventilation and trickling and sounds of the radiation fixing conditions we established the evolution of the generated power in order to highlight the advantage of the cooling of its approximation to the temperature of the STC conditions.Item Elaboration et caractérisation de couches minces d’oxyde de zinc (ZnO) dopées par l’étain (Sn)(Université Oum El Bouaghi, 2022) Rekab, Dounia; Siouani, Marwa; Abed, S.Ce travail a été réalisé pour étudier les propriétés structurelles, optiques et électriques de couchesminces de ZnO non dopées et dopées par Sn qui ont été déposées par la technique de spray pyrolyse surdes substrats en verre. Les concentrations de dopant sont (0, 1, 2, 3, 4 et 5% Sn). La température desubstrat est fixée 300 °C. Les spectres de diffraction des RXmontrent que les films déposés avecdifférents pourcentages du dopage sont fortement texturés et présentent une orientation préférentiellesuivant la direction (002).Le gap optique est varié entre 3.16 et 3.28 eV. Les mesures électriques ontmontré que la conductivité atteint sa valeur maximale pour un dopage optimale de 2% de Sn et que ladensité de charge atteint sa valeur maximale pour un dopage de 3% de Sn. L’étude photocatalytique amontré que le dopage permit d’augmenter l’activité photocatalytique de ZnO par rapport à l’échantillonnon dopé. ABSTCRAT This work was carried out to study the structural, optical and electrical properties of pure and dopedZnO thin films that were deposited by the pyrolysis spray technique on glass substrates. The dopingconcentrations are (0, 1, 2, 3, 4 and 5% Sn). The deposition temperature was 300°C. The RX diffractionspectra show that films deposited with different percentages of doping are highly textured, and show apreferential orientation according to the direction (002). The optical gap is varied between 3.16 and 3.28eV. Electricalmeasurements showed that the conductivity reaches its maximum value for an optimaldoping of 2% Sn and that the charge density reaches its maximum value for a doping of 3% Sn. Thephotocatalytic study showed thatItem Etude théorique des propriètés structurales et éléctroniques des composes fluoro- perovskites ABF3(Université Oum El Bouaghi, 2022) Brahimi, Karima; Aradj, Racha; Meziani, AmelNous avons effectué une étude théorique en utilisant la méthode des ondes planes augmentées linéarisées à potentiel total (FP-LAPW) basée sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) pour déterminer les propriétés structurales et électroniques des composés CsSrF3 et CsPbF3. Le potentiel d'échange-corrélation est traité par lapproximation de ladensité locale (LDA). Les propriétés structurales telles que le paramètre du réseau, le module de compressibilité et sa dérivée sont en bon accord avec les données disponibles. Les résultats obtenus pour la structure de bandes et les densités d'états (DOS) montrent que les composés CsSrF3 et CsPbF3 ont un gap direct.Item Réalisation par simulation d’un émetteur optoélectronique à un débit de 400 GHz, pour application aux systèmes de télécommunications avancés(Université Oum El Bouaghi, 2022) Rechachi, Nesrine; Maizi, Besma; Hamouda, AmarCe travail consiste à générer par simulation effectue dans l’OPTISYSTEM un train d’impulsions électriques de l’ordre de quelques picosecondes à un débit de 400 GHz dans l’espace libre, basé sur des composants optiques, une diode laser CW principale qui est la source optique, deux diodes secondaires qui font le pompage et une photodiode de détection. Abstract This work consists in generating by simulation carried out in the OPTISYSTEM a train of electrical pulses of the order of a few picoseconds at a rate of 400 GHz in free space ,based on optical components , a main CW laser diode which is the optical source , two secondary diodes which do the pumping and a detection photodiode.Item Analyse statique du transistor à effet de champ MESEFT Ga As(Université Oum El Bouaghi, 2022) Boudjadi, Amina; Azizi, CherifaNous présentons une analyse des propriétés statiques du transistor à effet de champ à barrière Schottky à l’arséniure de gallium dit MESFET GaAs qui est un composant essentiel pour les circuits intégrés logiques et analogiques. Après avoir donné la structure et le principe de fonctionnement, nous avons déterminé les expressions analytiques des caractéristiques de sortie du composant. La mise au point d’un logiciel en langage Matlab7.10 nous a permis d’obtenir les performances statiques du courant de drain en fonction des tensions de polarisations de drain et de la grille. L’influence des paramètres physiques, géométriques et de la température sur les caractéristiques de courant ont été également déterminés. Cette étude nous a permis de connaître les paramètres physiques et géométriques optimaux pour améliorer les performances des composants qui sont dépendants de la qualité des matériaux utilisés, de la géométrie de la structure et de la technologie de réalisation. ABSTRACT We present an analysis of the static properties of the gallium arsenide Schottky barrier field effect transistor called MESFET GaAs which is an essential component for logic and analog integrated circuits. After giving the structure and principle of operation, we determined the analytical expressions of the output characteristics of the component. The development of software in Matlab7.10 language allowed us to obtain the static performance of the drain current as a function of the drain and gate bias voltages. The influence of physical, geometrical and temperature parameters on the current characteristics were also determined. This study allowed us to know the optimal physical and geometric parameters to improve the performance of the components which are dependent on the quality of the materials used, the geometry of the structure and the technology of realization.Item Elaboration et caracterisation de couches minces à base de SnO2 par la méthode sol-gel et leur application en photodetection UV(Université Oum El Bouaghi, 2022) Issaad, Fatma Zohra; Touidjine, Nor el houda; Benzitouni, SaraDans cette étude, les couches minces de SnO2 non dopées et dopées Mn ont été synthétisées par la méthode sol gel associée au dip-coating. L'effet de concentration de dopage par le Mn (0 - 5 at. %) sur les propriétés structurelles, morphologiques, optiques et électriques des couches minces de SnO2 a été étudié. Les spectres de DRX montrent que tous les films sont polycristallins avec une structure cristalline Tétragonale de type Rutile. Le décalage du pic de diffraction a indiqué que le Mn2+ a été dopé avec succès dans le réseau de SnO2. L’analyse FTIR a révélé la présence de liaisons Mn-O confirmant à nouveau l’incorporation de Mn dans le réseau de SnO2. Les images optiques montrent que la morphologie de surface des films a été affectée par le manganèse. De plus, les spectres UV-Vis ont révélé que la transmittance optique de tous les échantillons était supérieure à 80 % moyenne dans le domaine visible. La mesure de l’effet Hall a montré que SnO2 a acquis une conductivité de type n pour un dopage de 3 at% Mn et une conductivité de type p pour un dopage de 5 at % Mn. Enfin, tous les photodétecteurs à base de SnO2 présentent une photosensibilité considérable vis-à-vis du rayonnement Ultra-Violet En particulier, le SnO2 pur a montré un photo-courant élevé de 4,3010-6A par rapport au SnO2 dopé Mn. Abstract In this study, undoped and Mn-doped SnO2 thin films were synthesized by sol-gel dip- coating method. The effect of Mn-doping concentration (0 – 5 at. %) on the structural, morphological, optical and electrical properties of SnO2 thin films was investigated. The XRD patterns show that all the films are polycrystalline with a tetragonal rutile structure. The diffraction peak shifting indicated that Mn2+ was successfully doped into SnO2 lattice. The FTIR analysis revealed the presence of Mn-O bonds confirming again the incorporation of Mn into SnO2 lattice. The optical images show that the surface morphology of the films has been affected by the manganese doping. Moreover, the UV-Vis spectra revealed that the average optical transmittance of all samples was greater than 80 % in the visible range. The Hall Effect measurement showed that SnO2 acquired n-type conductivity for 3 at% Mn-doping and p-type conductivity for 5 at% Mn-doping. Finally, all SnO2 based photodetectors show considerable photosensitivity towards Ultra-Violet radiation. In particular, pure SnO2 showed a high photocurrent 4.3010 -6 A compared to Mn doped SnO2.Item Source d’impulsions pico secondes dans la bande c des télécommunications avances(Université Oum El Bouaghi, 2022) Terbak, Abla; Zabat, Manel; Hamouda, AmarRésumé : Notre mémoire présente les travaux effectués pour la réalisation par simulation d’une source des impulsions pico secondes dans la bande C de télécommunications avancées, application au dispositifs militaires et appareils médicaux, le composant le plus important de ce générateur est le modulateur (mach-zehnder) qui fait la modulation du signal. De plus, ce générateur facile de mise en œuvre car ces composants sont disponibles commercialement. Our thesis presents the work carried out for the realization by simulation of a source of pico seconds pulses in the C-band of advanced telecommunications, application to military devices and medical devices, the most important component of this generator is the modulator (mach-zehnder) which makes the modulation of the signal. In addition, this generator is easy to implement because these components are commercially available.Item Elaboration et étude des propriétes des couches minces à base d'oxydes semiconducteurs(Université Oum El Bouaghi, 2022) Guerd, Nedjwa; Nouadri, Nihad; Benkara, SalimaL'objectif de cette mémoire est de maîtriser la fabrication de nanotubes d'oxyde de titaneet d’étudier les propriétés structurales, morphologiques compositionnelles de l'oxyde detitane en utilisant la technique de l'oxydation anodique sous certaines conditionsexpérimentales (différence de potentiel et temps d'anodisation) qui permettent en outre defabriquer un réseau organisé de nanotubes. Cette technique un contrôle précis de la formeet de la structure cristalline de la couche de nanotubes.Diverses techniques d'analyse ont étéutilisées pour caractériser les nanotubes d'oxyde de titane, y compris l'analyse parmicroscopie optique, grâce à laquelle la croissance des grains et des pores a été détectée, etl'utilisation de spectres de diffraction des rayons X, qui ont montré que la variation de ladifférence de potentiel et la variation de le temps d'anodisation affecte la taille des particuleset la structure cristalline desnanotubes. Aussi, identifier les diamètres des nanotubes grâceà une image prise par un microscope électronique à balayage Abstract The objective of thisthesisis a fabrication of titaniumoxide nanotubes and analysis theelectronicproperties and optical structures of titaniumoxideusing the technique of anodicoxidationunder certain conditions. Experimental conditions (potentialdifference andanodization time) whichalsomakeitpossible to manufacture an organized network ofnanotubes. This technique allowsprecise control of the shape and crystalline structure of thelayer of nanotubes. Variousanalytical techniques have been used to characterizetitaniumoxide nanotubes, includingopticalmicroscopyanalysis, throughwhich grain and poregrowthweredetected, and the use of diffraction spectra of X-rays, whichshowedthat thevariation of the potentialdifference and the variation of the anodization time affects theparticle size and the crystalline structure of the nanotubes. Also, identify the diameters ofthe nanotubes using an image taken by a scanning electron microscope.Item Etude des comportements thermiques des cellules photovoltaïques(Université Oum El Bouaghi, 2022) Bouhali, Saadane; Labed, NabilLa température élevée des panneaux photovoltaïques PV est un sérieux handicape pour l’amélioration de leurs rendements électriques. Cette étude vient pour essayer de trouver une solution à ce problème. On a proposé l’installation d’ailettes métalliques en dessous du panneau PV pour dissiper l’excès de chaleur et ainsi la maintenir relativement froides Nous avons développé un programme de simulation sous Matlab pour le calcul des flux de chaleur échangé et les profils de températures le long des ailettes. Nous avons analysé les résultats trouvés pour choisir la meilleure solution.Item Etude Simulation par Monte-Carlo de deux détecteurs à semi-conducteur (Ge et Si)(Université Oum El Bouaghi, 2022) Boukheit, Rania; As, Nour El houda; Lakehal, ChaoukiLes détecteurs de radiation à base de semi-conducteurs ont une bonne résolution énergétique par rapport à plusieurs détecteurs. Pour cela, ils sont souvent utilisés dans les mesures de spectrométrie gamma. Ces mesures ont besoin une grande précision à la détermination de quelques paramètres. Certaines des paramètres prouvent être déterminer par l’expérience, par contre pour certain d’autre paramètres, ils ont besoin de calcules numérique on utilisant le code de simulation. Dans ce travail nous avons étudié numériquement deux détecteurs semi-conducteur silicium et germanium afin d’évaluer deux paramètres essentiels (l’efficacité de détecteur et photofraction) Nous avons pu dans ce travail établir des relations entre ces paramètres et entre l’énergie du rayonnement, la géométrie de la source de rayonnement et la distance source-détecteur.Item Génération de multi porteuses à (40 GHz, 80 GHz, 160 GHz, 320 GHz) pour application aux systèmes de télécommunications avancés(Université Oum El Bouaghi, 2022) Khelouf, Amel; Afrid, Nourhane; Hamouda, AmarCe travail intitulé «Génération de multi porteuses à (40 Ghz, 80 Ghz, 160 Ghz et 320 Ghz) pour application aux systèmes de télécommunications avancés (Radar et satellite, systèmes d'intelligence artificielle)» est la réalisation par simulation d’une source multi porteuses à très haute fréquences d’impulsions ultracourtes, sa principe est basé sur la technique de compression non linéaire et la méthode de multiplexage par divisions temporelles optiques (OTDM), cette source est constituée par des composants optiques et optoélectroniques disponibles commercialement, elle est facile de mise en œuvre, ce type de source est nécessaire dans le domaine de télécommunications avancées. This work entitled "Generation of multi-carriers at (40 Ghz, 80 Ghz, 160 Ghz and 320 Ghz) for application to advanced telecommunications systems (Radar and satellite, artificial intelligence systems)" is the realization by simulation of a multi-carrier source at very high frequencies of ultra-short pulses, its principle is based on the nonlinear compression technique and the optical time division multiplexing method (OTDM),this source consists of commercially available optical and optoelectronic components, it is easy to implement, this type of source is necessary in the field of advanced telecommunications.Item Etude, simulation et réalisation d’un banc didactique de TP d’éléctronique analogique(Oum-El-Bouaghi, 2022) Laouar, Samira; Gholassa, Rafika; Boulgamh, FellaLe transistor est considéré comme l’une des inventions les plusimportantesdudeuxièmesiècle, etonluiattribuetouslesprogrès technologiques que nous traversons aujourd’hui, en raison de sa capacité àamplifierlessignauxélectrique. Dansnotretravail,nousavonsutilisécettepropriété en réalisant un circuit amplificateur à émetteur commun àtransistorbipolaire.Nousavonspupratiquementamplifierlatension d’entrée d’un pourcentage proche du résultat théorique en comparant lesrésultats expérimentaux lus sur l’oscilloscope avec les résultats obtenusmathématiquement. Nous avons ensuite utilisé cet amplificateur pour réaliser unoscillateur harmonique. Nous avons connecté deux condensateurs et une bobine (ce qu’onappelle le circuit de résonance) en parallèle avec l’émetteur du transistor et nous avons utilisé une tension d’entrée continue .en utilisant ce montage nous avons pu générer unetensionde sortiedefréquence égale à35 KHZ.